[发明专利]薄膜晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在基板上依次制作栅极、栅极绝缘层、有源层；在有源层上制作蚀刻阻挡层；在蚀刻阻挡层及有源层上沉积欧姆接触层薄膜，及在欧姆接触层薄膜上沉积源漏极导电膜；处理源漏极导电膜形成图形化的源极、漏极，通过干法刻蚀工艺处理欧姆接触层薄膜形成图形化的欧姆接触层；欧姆接触层制作完成后，去除蚀刻阻挡层。由于本发明在欧姆接触层制作之前在晶体管沟道上方设置有蚀刻阻挡层，可以有效避免干刻欧姆接触层对于有源层的损伤，提高了晶体管的性能。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供一基板(10)；在所述基板(10)上依次制作栅极(20)、栅极绝缘层(30)、有源层(40)；在所述有源层(40)上制作一层与所述栅极(20)图案相同并与所述栅极(20)的图案正对的蚀刻阻挡层(50)；在所述蚀刻阻挡层(50)及所述有源层(40)上沉积欧姆接触层薄膜(6)，及在所述欧姆接触层薄膜(6)上沉积源漏极导电膜(7)；通过湿法刻蚀工艺处理所述源漏极导电膜(7)形成图形化的源极(71)、漏极(72)；通过干法刻蚀工艺处理所述欧姆接触层薄膜(6)形成图形化的欧姆接触层(60)，以去除位于所述源极(71)、所述漏极(72)之间的沟道区域的所述欧姆接触层薄膜(6)；通过湿法刻蚀工艺去除所述蚀刻阻挡层(50)。