[发明专利]薄膜晶体管的制备方法

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在基板上依次制作栅极、栅极绝缘层、有源层；在有源层上制作蚀刻阻挡层；在蚀刻阻挡层及有源层上沉积欧姆接触层薄膜，及在欧姆接触层薄膜上沉积源漏极导电膜；处理源漏极导电膜形成图形化的源极、漏极，通过干法刻蚀工艺处理欧姆接触层薄膜形成图形化的欧姆接触层；欧姆接触层制作完成后，去除蚀刻阻挡层。由于本发明在欧姆接触层制作之前在晶体管沟道上方设置有蚀刻阻挡层，可以有效避免干刻欧姆接触层对于有源层的损伤，提高了晶体管的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制备技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管的制备方法。

背景技术

石墨烯、碳纳米管、碳化硅、二硫化钼、有机化合物等新型半导体材料的发现为晶体管的制备提供了新的研究方向。然而这些半导体材料都具有一个共同的特征，在制备晶体管的时候，通过干刻来进行图形化得到有源层，但以传统非晶硅工艺为例，在有源层与源漏极之间需加入高浓度掺杂的导电层以减少有源层与金属层的接触电阻形成欧姆接触，由于高浓度掺杂导电层通常以干刻进行图形化，而干刻会对石墨烯、碳纳米管、碳化硅等半导体材料有源层造成损伤，因此开发一种保护新型半导体材料的晶体管制备工艺具有非常重要的意义。

发明内容

鉴于现有技术存在的不足，本发明提供了一种薄膜晶体管的制备方法，可以避免干刻对于有源层的损伤，提高了晶体管的性能。

为了实现上述的目的，本发明采用了如下的技术方案：

一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

提供一基板；

在所述基板上依次制作栅极、栅极绝缘层、有源层；

在所述有源层上制作一层与所述栅极图案相同并与所述栅极的图案正对的蚀刻阻挡层；

在所述蚀刻阻挡层及有源层上沉积欧姆接触层薄膜，及在所述欧姆接触层薄膜上沉积源漏极导电膜；

通过湿法刻蚀工艺处理所述源漏极导电膜形成图形化的源极、漏极；

通过干法刻蚀工艺处理所述欧姆接触层薄膜形成图形化的欧姆接触层，以去除位于所述源极、所述漏极之间的沟道区域的所述欧姆接触层薄膜；

通过湿法刻蚀工艺去除所述蚀刻阻挡层。

作为其中一种实施方式，在所述基板上制作栅极，具体包括：

在所述基板上沉积整面覆盖的导电薄膜；

在所述导电薄膜上沉积第一光刻胶薄膜；

对所述第一光刻胶薄膜进行曝光、显影，得到第一光刻胶图案；

利用酸液湿刻、洗脱去除未被所述第一光刻胶图案覆盖的所述导电薄膜，得到图形化的栅极。

作为其中一种实施方式，所述导电薄膜为ITO、Mo/Al、Ti/Cu、Cr/Au或Ag。

作为其中一种实施方式，在所述有源层上制作蚀刻阻挡层，具体包括：

在所述有源层上沉积整面覆盖的蚀刻阻挡层薄膜；

在所述蚀刻阻挡层薄膜上沉积第二光刻胶薄膜；

对所述第二光刻胶薄膜进行曝光、显影，得到第二光刻胶图案；

利用酸液湿刻、洗脱去除未被所述第二光刻胶图案覆盖的蚀刻阻挡层薄膜，得到图形化的蚀刻阻挡层。

作为其中一种实施方式，所述蚀刻阻挡层薄膜为ITO(氧化铟锡)、Mo/Al、Ti/Cu、金属氧化物或Ag。

作为其中一种实施方式，所述欧姆接触层薄膜为磷掺杂硅、硼掺杂硅、砷掺杂硅、氮掺杂硅或铝掺杂硅。