[发明专利]薄膜晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

提供一基板(10)；

在所述基板(10)上依次制作栅极(20)、栅极绝缘层(30)、有源层(40)；

在所述有源层(40)上制作一层与所述栅极(20)图案相同并与所述栅极(20)的图案正对的蚀刻阻挡层(50)；

在所述蚀刻阻挡层(50)及所述有源层(40)上沉积欧姆接触层薄膜(6)，及在所述欧姆接触层薄膜(6)上沉积源漏极导电膜(7)；

通过湿法刻蚀工艺处理所述源漏极导电膜(7)形成图形化的源极(71)、漏极(72)；

通过干法刻蚀工艺处理所述欧姆接触层薄膜(6)形成图形化的欧姆接触层(60)，以去除位于所述源极(71)、所述漏极(72)之间的沟道区域的所述欧姆接触层薄膜(6)；

通过湿法刻蚀工艺去除所述蚀刻阻挡层(50)。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述基板(10)上制作栅极(20)，具体包括：

在所述基板(10)上沉积整面覆盖的导电薄膜；

在所述导电薄膜上沉积第一光刻胶薄膜；

对所述第一光刻胶薄膜进行曝光、显影，得到第一光刻胶图案；

利用酸液湿刻、洗脱去除未被所述第一光刻胶图案覆盖的所述导电薄膜，得到图形化的栅极(20)。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述导电薄膜为ITO、Mo/Al、Ti/Cu、Cr/Au或Ag。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述有源层(40)上制作蚀刻阻挡层(50)，具体包括：

在所述有源层(40)上沉积整面覆盖的蚀刻阻挡层薄膜(5)；

在所述蚀刻阻挡层薄膜(5)上沉积第二光刻胶薄膜；

对所述第二光刻胶薄膜进行曝光、显影，得到第二光刻胶图案；

利用酸液湿刻、洗脱去除未被所述第二光刻胶图案覆盖的蚀刻阻挡层薄膜，得到图形化的蚀刻阻挡层(50)。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述蚀刻阻挡层薄膜(5)为ITO、Mo/Al、Ti/Cu、金属氧化物或Ag。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述欧姆接触层薄膜(6)为磷掺杂硅、硼掺杂硅、砷掺杂硅、氮掺杂硅或铝掺杂硅。

7.根据权利要求1-6任一所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，还包括：在去除所述蚀刻阻挡层(50)后，在所述源极(71)、所述漏极(72)之间的沟道区域内制作钝化层(80)。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，制作钝化层(80)具体包括：

以原子层沉积或化学气相沉积在所述源极(71)、所述漏极(72)、所述有源层(40)表面制备整面的钝化保护膜(8)；

对所述钝化保护膜(8)图形化处理，仅保留与所述栅极(20)正对的所述钝化保护膜(8)，得到钝化层(80)。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述钝化保护膜(8)为有机绝缘材料、SiN_x、SiO₂、HfO₂或Al₂O₃。