[发明专利]TFT阵列基板及显示面板有效
| 申请号： | 201810805877.6 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109148477B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 方俊雄;吴元均;吕伯彦 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;刘巍 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT阵列基板及显示面板。该TFT阵列基板包括图案化的金属氧化物主动层、栅极金属层，以及源漏极金属层，进一步包括至少一图案化的吸氢金属层，所述吸氢金属层与图案化的金属氧化物主动层之间设有介电层。本发明的TFT阵列基板及显示面板，能够减少氢原子与金属氧化物TFT主动层的反应，达到改善TFT信赖性的目的。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种TFT阵列基板，包括图案化的金属氧化物主动层、栅极金属层、以及源漏极金属层，其特征在于，进一步包括至少一图案化的吸氢金属层，所述吸氢金属层与图案化的金属氧化物主动层之间设有介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
