[发明专利]TFT阵列基板及显示面板

说明书

本发明涉及一种TFT阵列基板及显示面板。该TFT阵列基板包括图案化的金属氧化物主动层、栅极金属层，以及源漏极金属层，进一步包括至少一图案化的吸氢金属层，所述吸氢金属层与图案化的金属氧化物主动层之间设有介电层。本发明的TFT阵列基板及显示面板，能够减少氢原子与金属氧化物TFT主动层的反应，达到改善TFT信赖性的目的。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板及显示面板。

背景技术

金属氧化物薄膜晶体管(Metal oxide TFT)(例如IGZO；IGTO…)具有较简略的制造工序,高的载子迁移率、低漏电流以及较佳的电性稳定性,因此被应用于有机发光二极管(OLED)显示器的驱动电路,金属氧化物TFT的缺点是金属氧化物中的氧原子容易被氢原子还原,产生氧空缺,导致TFT的电特性飘移,既有的作法为了减少氢原子的来源,金属氧化物TFT的介电层材料采用SiOx取代SiNx(例如缓冲层(Buffer layer)，层间绝缘层(ILD)，钝化层(PV)等膜层)，但是依据不同的化学气相沉积(CVD)成膜条件,SiOx薄膜中仍然含有一至十几原子百分比(at％)的氢含量,这些氢原子在后续的高温工艺,或是显示器操作时电流产生的局部高温,都有机会由SiOx薄膜中扩散到金属氧化物TFT的沟道中,使TFT的电特性偏移而造成画面显示异常的现象。

参见图1，其为一种现有有机发光显示面板剖面结构示意图，主要包括：包含金属氧化物TFT的TFT阵列基板、以及设置于TFT阵列基板上的OLED器件。TFT阵列基板主要包括：基板1，设于基板1上的缓冲层2，设于缓冲层2上的主动层3，设于缓冲层2及主动层3上的栅极绝缘层4，设于栅极绝缘层4上的栅极金属层5，设于缓冲层2、主动层3以及栅极金属层5上的层间绝缘层6，设于层间绝缘层6上的源漏极金属层7，设于源漏极金属层7上的钝化层8，以及设于钝化层8上的平坦层9；通过图案化的主动层3，栅极金属层5以及源漏极金属层7等结构，形成了开关TFT，驱动TFT以及存储电容等器件，可以用于组成驱动像素的TFT驱动电路，组成TFT驱动电路的TFT器件可以为金属氧化物TFT，相应的主动层3为金属氧化物主动层。缓冲层2，层间绝缘层6和钝化层8采用SiOx制备，如图1虚线箭头所示，缓冲层2，层间绝缘层6和钝化层8所含有的氢原子有机会扩散至主动层3所形成的沟道中，使TFT的电特性偏移。

OLED器件制备于TFT阵列基板的平坦层9上，平坦层9设有过孔用于连接TFT阵列基板中的TFT器件。OLED器件主要包括：设于平坦层9上的阳极10，设于平坦层9及阳极10上的像素定义层20，设于阳极10及像素定义层20上的有机功能层21，设于有机功能层21上的阴极22；当适当的电压施加于阳极10与阴极22时，有机功能层21发光。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种TFT阵列基板及显示面板，减少氢原子与金属氧化物TFT主动层的反应。

为实现上述目的，本发明提供了一种TFT阵列基板，包括图案化的金属氧化物主动层、栅极金属层、以及源漏极金属层，进一步包括至少一图案化的吸氢金属层，所述吸氢金属层与图案化的金属氧化物主动层之间设有介电层。

其中，所述吸氢金属为钛金属或镍合金金属。

其中，包括图案化的第一吸氢金属层，第一吸氢金属层与图案化的主动层上下相对设置。

其中，还包括设于第一吸氢金属层与图案化的主动层之间作为介电层的缓冲层。

其中，所述图案化的第一吸氢金属层面积等于或略大于图案化的主动层。

其中，包括图案化的第二吸氢金属层，第二吸氢金属层设于图案化的栅极金属层底部。

其中，还包括设于第二吸氢金属与图案化的主动层之间作为介电层的栅极绝缘层。

其中，所述图案化的第二吸氢金属层面积等于或略大于图案化的栅极金属层。