[发明专利]TFT阵列基板及显示面板

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，包括图案化的金属氧化物主动层、栅极金属层、以及源漏极金属层，其特征在于，进一步包括至少一图案化的吸氢金属层，所述吸氢金属层与图案化的金属氧化物主动层之间设有介电层；

包括图案化的第一吸氢金属层，第一吸氢金属层与图案化的主动层上下相对设置；

还包括设于第一吸氢金属层与图案化的主动层之间作为介电层的缓冲层；

所述图案化的第一吸氢金属层面积等于或略大于图案化的主动层；

包括图案化的第二吸氢金属层，第二吸氢金属层设于图案化的栅极金属层底部；

所述栅极金属层及第二吸氢金属层采用同一道黄光蚀刻工艺形成，或将钛金属视为是栅极金属的材料之一；

包括图案化的第三吸氢金属层，第三吸氢金属层设于图案化的源漏极金属层底部；

所述源漏极金属层及第三吸氢金属层采用同一道黄光蚀刻工艺形成，或将钛金属视为是源漏极金属层的材料之一；

还包括设于第二吸氢金属与图案化的主动层之间作为介电层的栅极绝缘层；

还包括设于第三吸氢金属层与图案化的主动层之间作为介电层的层间绝缘层。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述吸氢金属为钛金属或镍合金金属。

3.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1～2任一项所述的TFT阵列基板。