[发明专利]动态随机存取存储器及其操作方法有效
| 申请号： | 201810803951.0 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109859789B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 李忠勋;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)及其操作方法。该DRAM包括一存储器阵列以及一控制元件。该存储器阵列包括一更新单元。该更新单元包括一第一存储胞以及一第二存储胞。该第一存储胞经配置以存储数据。该第二存储胞经配置以经由与该第一存储胞一同被程序化而具有一存储电能。该第一存储胞和该第二存储胞可由该存储器阵列的同一列控制。该控制元件经配置以当该第二存储胞的该存储电能变得低于一临界电能时，将该更新单元的一更新率增加到一第一更新率。该临界电能高于一标准电能。该标准电能用于判断二进制逻辑。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种动态随机存取存储存储器(dynamic random access memory，DRAM)，包括：一存储存储器阵列，包括：一更新单元，包括：一第一存储胞，经配置以存储数据；以及一第二存储胞，经配置以经由与该第一存储胞一同被程序化而具有一存储电能，其中，该第一存储胞和该第二存储胞可由该存储存储器阵列的同一列控制；以及一控制元件，经配置以当该第二存储胞的该存储电能变得低于一临界电能时，将该更新单元的一更新率增加到一第一更新率，其中，该临界电能高于一标准电能，该标准电能用于判断二进制逻辑。
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