[发明专利]动态随机存取存储器及其操作方法

权利要求书

1.一种动态随机存取存储存储器(dynamic random access memory，DRAM)，包括：

一存储存储器阵列，包括：

一更新单元，包括：

一第一存储胞，经配置以存储数据；以及

一第二存储胞，经配置以经由与该第一存储胞一同被程序化而具有一存储电能，

其中，该第一存储胞和该第二存储胞可由该存储存储器阵列的同一列控制；以及

一控制元件，经配置以当该第二存储胞的该存储电能变得低于一临界电能时，将该更新单元的一更新率增加到一第一更新率，其中，该临界电能高于一标准电能，该标准电能用于判断二进制逻辑。

2.如权利要求1所述的DRAM，其中，该控制元件经配置以在增加该更新率之后不再降低该更新率。

3.如权利要求1所述的DRAM，其中，该更新单元的一存储胞的数量正相关于该更新率，该存储胞的该存储电能变的低于该临界电能。

4.如权利要求1所述的DRAM，其中该存储电能被降低一降低程度，其中，该降低程度与该更新率成正相关。

5.如权利要求1所述的DRAM，还包括：

一观测元件，经配置以监测由于该第二存储胞的劣化而导致的该第二存储胞的该存储电能的减少。

6.如权利要求1所述的DRAM，其中，该控制元件经配置以当该第二存储胞的一电压电平变得低于一临界电压电平时，将该更新率增加到该第一更新率，其中，该临界电压电平高于一标准电压电平，该标准电压电平用于判断二进制逻辑。

7.如权利要求6所述的DRAM，其中，该临界电压电平是一第一临界电压电平，

其中，该控制元件经配置以当该电压电平变得低于该第一临界电压电平和一第二临界电压电平时，将该更新率从该第一更新率增加至一第二更新率，

其中，该第二临界电压电平低于该第一临界电压电平并高于该标准电压电平。

8.如权利要求1所述的DRAM，其中，该控制元件经配置以当来自该第二存储胞的一漏电流的一量值变得高于一临界量值时，将该更新率增加到该第一更新率。

9.如权利要求8所述的DRAM，其中，该临界量值是一第一临界量值，

其中，该控制元件经配置以当该量值变得高于该第一临界量值及一第二临界量值时，将该更新率从该第一更新率增加到一第二更新率，

其中，该第二临界量值高于该第一临界量值。

10.如权利要求1所述的DRAM，其中该更新单元还包括一第三存储胞，

其中，该控制元件经配置以当该第二存储胞的该存储电能变得低于该临界电能时并且当该第三存储胞的一存储电能高于该临界电能时，将该更新率增加到该第一更新率。

11.如权利要求10所述的DRAM，其中，该控制元件经配置以当该第二存储胞的该存储电能和该第三存储胞的该存储电能均变得低于该临界电能时，将该更新率从该第一更新率增加到一第二更新率。

12.如权利要求11所述的DRAM，其中，该控制元件经配置以当该第二存储胞的一电压电平变得低于一临界电压电平时并且当该第三存储胞的一电压电平高于临界电压电平时，将该更新率增加到该第一更新率，

其中，该临界电压电平高于一标准电压电平，该标准电压电平用于判断二进制逻辑。

13.如权利要求12所述的DRAM，其中，该控制元件经配置以当该第二存储胞的该电压电平和该第三存储胞的该电压电平均变得低于该临界电压电平时，将该更新率从该第一更新率增加到该第二更新率。