[发明专利]双面OLED显示器及其制作方法在审
申请号: | 201810799546.6 | 申请日: | 2018-07-19 |
公开(公告)号: | CN109192752A | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 刘兆松;任章淳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;鞠骁 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种双面OLED显示器及其制作方法。本发明的双面OLED显示器中同时具有顶发光OLED器件及底发光OLED器件,从而能够实现双面显示。与此同时,在该双面OLED显示器中,驱动底发光OLED器件的TFT器件的有源层包括沟道区及分别与沟道区两端连接的接触区及透明阳极,利用该透明阳极作为底发光OLED器件的阳极,从而减少了双面OLED显示器在制作时需求的光罩的数量,有效的降低了产品的成本。 | ||
搜索关键词: | 发光 透明阳极 沟道区 制作 顶发光OLED器件 阳极 双面显示 接触区 光罩 源层 驱动 | ||
【主权项】:
1.一种双面OLED显示器,其特征在于,包括:衬底(10)、间隔设于所述衬底(10)上的第一遮光层(21)及第二遮光层(22)、覆盖所述第一遮光层(21)及第二遮光层(22)的缓冲层(30)、设于缓冲层(30)上且分别位于第一遮光层(21)及第二遮光层(22)上方的第一有源层(41)及第二有源层(42)、分别设于所述第一有源层(41)及第二有源层(42)上的第一栅极绝缘层(51)及第二栅极绝缘层(52)、分别设于所述第一栅极绝缘层(51)及第二栅极绝缘层(52)上的第一栅极(61)及第二栅极(62)、覆盖所述第一有源层(41)、第一栅极(61)、第二有源层(42)及第二栅极(62)的层间绝缘层(70)以及设于所述层间绝缘层(70)上的第一源/漏极(81)、第二源/漏极(82)及第三源/漏极(83);所述第一有源层(41)包括第一沟道(411)以及分别与第一沟道(411)两端连接的第一接触区(412)及透明阳极(413);所述第二有源层(42)包括第二沟道(421)以及分别与第二沟道(421)两端连接的第二接触区(422)及第三接触区(423);所述第一栅极绝缘层(51)对应设于第一沟道(411)上方;所述第二栅极绝缘层(52)对应设于第二沟道(421)上方;所述层间绝缘层(70)设有位于第一接触区(412)上方的第一开口(71)、位于透明阳极(413)上方的第二开口(72)、位于第二接触区(422)上方的第三开口(73)及位于第三接触区(423)上方的第四开口(74);所述第一源/漏极(81)经第一开口(71)与第一接触区(412)接触,所述第二源/漏极(82)经第三开口(73)与第二接触区(422)接触,所述第三源/漏极(83)经第四开口(74)与第三接触区(423)接触;所述透明阳极(413)至少部分位于第一遮光层(21)与第二遮光层(22)之间区域的上方,所述第二开口(72)对应透明阳极(413)位于第一遮光层(21)与第二遮光层(22)之间区域的上方的部分设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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