[发明专利]双面OLED显示器及其制作方法在审
申请号: | 201810799546.6 | 申请日: | 2018-07-19 |
公开(公告)号: | CN109192752A | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 刘兆松;任章淳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;鞠骁 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 透明阳极 沟道区 制作 顶发光OLED器件 阳极 双面显示 接触区 光罩 源层 驱动 | ||
1.一种双面OLED显示器,其特征在于,包括:衬底(10)、间隔设于所述衬底(10)上的第一遮光层(21)及第二遮光层(22)、覆盖所述第一遮光层(21)及第二遮光层(22)的缓冲层(30)、设于缓冲层(30)上且分别位于第一遮光层(21)及第二遮光层(22)上方的第一有源层(41)及第二有源层(42)、分别设于所述第一有源层(41)及第二有源层(42)上的第一栅极绝缘层(51)及第二栅极绝缘层(52)、分别设于所述第一栅极绝缘层(51)及第二栅极绝缘层(52)上的第一栅极(61)及第二栅极(62)、覆盖所述第一有源层(41)、第一栅极(61)、第二有源层(42)及第二栅极(62)的层间绝缘层(70)以及设于所述层间绝缘层(70)上的第一源/漏极(81)、第二源/漏极(82)及第三源/漏极(83);
所述第一有源层(41)包括第一沟道(411)以及分别与第一沟道(411)两端连接的第一接触区(412)及透明阳极(413);所述第二有源层(42)包括第二沟道(421)以及分别与第二沟道(421)两端连接的第二接触区(422)及第三接触区(423);所述第一栅极绝缘层(51)对应设于第一沟道(411)上方;所述第二栅极绝缘层(52)对应设于第二沟道(421)上方;所述层间绝缘层(70)设有位于第一接触区(412)上方的第一开口(71)、位于透明阳极(413)上方的第二开口(72)、位于第二接触区(422)上方的第三开口(73)及位于第三接触区(423)上方的第四开口(74);所述第一源/漏极(81)经第一开口(71)与第一接触区(412)接触,所述第二源/漏极(82)经第三开口(73)与第二接触区(422)接触,所述第三源/漏极(83)经第四开口(74)与第三接触区(423)接触;所述透明阳极(413)至少部分位于第一遮光层(21)与第二遮光层(22)之间区域的上方,所述第二开口(72)对应透明阳极(413)位于第一遮光层(21)与第二遮光层(22)之间区域的上方的部分设置。
2.如权利要求1所述的双面OLED显示器,其特征在于,还包括覆盖所述第一源/漏极(81)、第二源/漏极(82)及第三源/漏极(83)的钝化层(90)、设于钝化层(90)上的平坦化层(100)、设于透明阳极(413)上的第一发光层(110)、设于第一发光层(110)及平坦化层(100)上的反射阴极(120)、设于所述平坦化层(100)上的反射阳极(130)、设于所述平坦化层(100)及反射阳极(130)上的像素定义层(140)、设于反射阳极(130)上的第二发光层(150)以及设于第二发光层(150)及像素定义层(140)上的透明阴极(160);
所述第二开口(72)贯穿钝化层(90)及层间绝缘层(70);所述钝化层(90)设有位于第三源/漏极(83)上方的第五开口(92);所述平坦化层(100)设有位于第二开口(72)上方的第六开口(101)以及位于第五开口(92)上方的第七开口(102);所述第一发光层(110)位于第二开口(72)内;所述反射阳极(130)经第七开口(102)及第五开口(92)与第三源/漏极(83)接触;所述像素定义层(140)设有位于反射阳极(130)上方的第八开口(141);所述第二发光层(150)位于所述第八开口(141)内。
3.如权利要求2所述的双面OLED显示器,其特征在于,所述第一发光层(110)为红光发光层、绿光发光层或蓝光发光层,所述第二发光层(150)为红光发光层、绿光发光层或蓝光发光层。
4.如权利要求2所述的双面OLED显示器,其特征在于,所述第一发光层(110)及第二发光层(150)均采用喷墨打印的方式制作。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810799546.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的