[发明专利]双面OLED显示器及其制作方法在审
申请号: | 201810799546.6 | 申请日: | 2018-07-19 |
公开(公告)号: | CN109192752A | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 刘兆松;任章淳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;鞠骁 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 透明阳极 沟道区 制作 顶发光OLED器件 阳极 双面显示 接触区 光罩 源层 驱动 | ||
本发明提供一种双面OLED显示器及其制作方法。本发明的双面OLED显示器中同时具有顶发光OLED器件及底发光OLED器件,从而能够实现双面显示。与此同时,在该双面OLED显示器中,驱动底发光OLED器件的TFT器件的有源层包括沟道区及分别与沟道区两端连接的接触区及透明阳极,利用该透明阳极作为底发光OLED器件的阳极,从而减少了双面OLED显示器在制作时需求的光罩的数量,有效的降低了产品的成本。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种双面OLED显示器及其制作方法。
背景技术
平板显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。现有的平板显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display,LCD)及有机电致发光显示器件(Organic Light Emitting Display,OLED)。OLED显示器件由于同时具备自发光,不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异特性,一致被公认为是下一代显示的主流技术,得到了各大显示器厂家的青睐。OLED显示器件通常包括:基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层及设于电子注入层上的阴极,其发光机理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光。具体的,OLED显示器件通常采用氧化铟锡(ITO)电极和金属电极分别作为阳极和阴极,在一定电压驱动下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子注入层和空穴注入层,电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层,并在发光层中相遇,形成激子并使发光分子激发,后者经过辐射弛豫而发出可见光。
随着显示技术的发展,消费者除了要求显示装置具备反应速度快、分辨率高、画质细腻的特点外,也追求功能及显示模式上的突破。因此,双面OLED显示器应运而生,双面OLED显示器除了具备普通OLED显示器的各种特性外,还可以延伸画面空间,快速切换与处理多个显示画面,不仅节约了显示器的制作成本,更可以节省装置的空间。目前的双面OLED显示器在制作时需要的光罩数量较多,导致产品的成本较高,不符合消费者期望的高性价比的要求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种双面OLED显示器,能够实现双面显示,且制作时需求的光罩数量少,产品成本低。
本发明的另一目的在于提供一种双面OLED显示器的制作方法,需求的光罩数量少,产品成本低。
为实现上述目的,本发明首先提供一种双面OLED显示器,包括:衬底、间隔设于所述衬底上的第一遮光层及第二遮光层、覆盖所述第一遮光层及第二遮光层的缓冲层、设于缓冲层上且分别位于第一遮光层及第二遮光层上方的第一有源层及第二有源层、分别设于所述第一有源层及第二有源层上的第一栅极绝缘层及第二栅极绝缘层、分别设于所述第一栅极绝缘层及第二栅极绝缘层上的第一栅极及第二栅极、覆盖所述第一有源层、第一栅极、第二有源层及第二栅极的层间绝缘层以及设于所述层间绝缘层上的第一源/漏极、第二源/漏极及第三源/漏极;
所述第一有源层包括第一沟道以及分别与第一沟道两端连接的第一接触区及透明阳极;所述第二有源层包括第二沟道以及分别与第二沟道两端连接的第二接触区及第三接触区;所述第一栅极绝缘层对应设于第一沟道上方;所述第二栅极绝缘层对应设于第二沟道上方;所述层间绝缘层设有位于第一接触区上方的第一开口、位于透明阳极上方的第二开口、位于第二接触区上方的第三开口及位于第三接触区上方的第四开口;所述第一源/漏极经第一开口与第一接触区接触,所述第二源/漏极经第三开口与第二接触区接触,所述第三源/漏极经第四开口与第三接触区接触;所述透明阳极至少部分位于第一遮光层与第二遮光层之间区域的上方,所述第二开口对应透明阳极位于第一遮光层与第二遮光层之间区域的上方的部分设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的