[发明专利]一种65nm的CMOS无线TDD前端在审

专利信息
申请号: 201810794747.7 申请日: 2018-07-19
公开(公告)号: CN109039372A 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 王雅珍;陈磊 申请(专利权)人: 池州睿成微电子有限公司
主分类号: H04B1/48 分类号: H04B1/48
代理公司: 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 代理人: 陈国俊
地址: 247100 安徽省池州市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 本发明专利发明公开了一种65nm的CMOS无线TDD前端,包括一个8位幅度调制器AM,一个9位相位调制器PM,两个变压器,一个PA/LNA核心电路,两个PA驱动器,两个相位内插器PI和一个缓冲器Buffer。本发明通过功率放大器重复使用实现集成T/R切换,消除了传统的信号路径中T/R有损切换。系统在接收模式期间将PA重新配置为LNA,并且仅使用DC模式控制开关来实现TDD共存。
搜索关键词: 缓冲器 驱动器 幅度调制器 功率放大器 相位调制器 相位内插器 核心电路 接收模式 信号路径 重新配置 传统的 变压器
【主权项】:
1.一种65nm的CMOS无线TDD前端,包括芯片,其特征在于:所述芯片包括顶部逻辑链路和底部逻辑链路,所述顶部逻辑链路强制稳定接地,所述底部逻辑链路强制稳定的VDD输出,所述顶部逻辑链路和底部逻辑链路均包括AM调制器,PM调制器,变压器, PA/LNA核心电路, PA驱动器,相位内插器PI和缓冲器Buffer,所述AM调制器之后依次经过解串、解码连接PA驱动器,所述PM驱动器之后依次经过解串、解码连接相位内插器PI,之后连接PA驱动器。
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