[发明专利]一种65nm的CMOS无线TDD前端

权利要求书

1.一种65nm的CMOS无线TDD前端，包括芯片，其特征在于：所述芯片包括顶部逻辑链路和底部逻辑链路，所述顶部逻辑链路强制稳定接地，所述底部逻辑链路强制稳定的VDD输出，所述顶部逻辑链路和底部逻辑链路均包括AM调制器，PM调制器，变压器， PA/LNA核心电路， PA驱动器，相位内插器PI和缓冲器Buffer，所述AM调制器之后依次经过解串、解码连接PA驱动器，所述PM驱动器之后依次经过解串、解码连接相位内插器PI，之后连接PA驱动器。

2.根据权利要求1所述的一种65nm的CMOS无线TDD前端，其特征在于：所述AM调制器为八位幅度AM调制器，所述PM调制器为九位相位PM调制器。

3.根据权利要求1所述的一种65nm的CMOS无线TDD前端，其特征在于：所述变压器有两个，所述PA驱动器有两个，所述相位内插器PI有两个，所述变压器、PA驱动器、相位内插器PI均分别位于顶部逻辑链路和底部逻辑链路之中。

4.根据权利要求1所述的一种65nm的CMOS无线TDD前端，其特征在于：所述PA/LNA核心电路包含两个子PA，每个子PA使用分隔开但相同的TX链路。

5.根据权利要求1或4所述的一种65nm的CMOS无线TDD前端，其特征在于：所述子PA，AM调制器和PM调制器的输入数据均被解串并解码，所述AM调制器的输入数据经过解串、解码转换成温度检测数据和BIN标准的二进制数据。

6.根据权利要求1所述一种65nm的CMOS无线TDD前端，其特征在于：所述缓冲器Buffer由两个共源增益级组成，共源增益级后安装有源跟随器输出驱动器。

7.根据权利要求1所述一种65nm的CMOS无线TDD前端，其特征在于：所述变压器的初级线圈和次级线圈的匝数之比为1:1。