[发明专利]半导体装置封装件和制造半导体装置封装件的方法在审
| 申请号： | 201810794523.6 | 申请日： | 2018-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN110534497A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 吕文隆 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/31 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 蕭輔寬<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 一种半导体衬底包含介电层、第一导电层、第一阻挡层和导电柱。所述介电层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一导电层邻近于所述介电层的所述第一表面安置。所述第一阻挡层安置于所述第一导电层上。所述导电柱安置于所述第一阻挡层上。所述导电柱的宽度等于或小于所述第一阻挡层的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡层 第一导电层 第一表面 导电柱 介电层 安置 第二表面 衬底 半导体 邻近 | ||
【主权项】：
1.一种半导体衬底，包括：/n介电层，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；/n第一导电层，邻近于所述介电层的所述第一表面安置；/n第一阻挡层，安置于所述第一导电层上；和/n导电柱，安置于所述第一阻挡层上，/n其中所述导电柱的宽度等于或小于所述第一阻挡层的宽度。/n
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