[发明专利]半导体装置封装件和制造半导体装置封装件的方法

说明书

一种半导体衬底包含介电层、第一导电层、第一阻挡层和导电柱。所述介电层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一导电层邻近于所述介电层的所述第一表面安置。所述第一阻挡层安置于所述第一导电层上。所述导电柱安置于所述第一阻挡层上。所述导电柱的宽度等于或小于所述第一阻挡层的宽度。

技术领域

本公开大体上涉及一种半导体装置封装件和制造半导体装置封装件的方法，以及涉及包含阻挡结构的半导体装置封装件和制造半导体装置封装件的方法。

背景技术

半导体装置封装件可包含将电子组件电连接到衬底的焊球。当在衬底上形成焊接接触件时，可能会发生渗出(例如，在回流过程期间)，这将会在两个导电衬垫之间引起不希望的短路(即，桥接)。为了避免桥接问题，应使用防焊剂。然而，防焊剂的使用会增大半导体装置封装件的制造成本和厚度。另外，由于，防焊剂与衬底之间的热膨胀系数(CTE)不匹配，因此将会发生翘曲问题，这可进一步在防焊剂与衬底之间的接口处引起脱层。

发明内容

在一或多个实施例中，半导体衬底包含介电层、第一导电层、第一阻挡层和导电柱。介电层具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一导电层邻近于介电层的第一表面安置。第一阻挡层安置于第一导电层上。导电柱安置于第一阻挡层上。导电柱的宽度等于或小于第一阻挡层的宽度。

在一或多个实施例中，半导体装置封装件包含衬底和电子组件。衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。衬底具有第一导电层、第一阻挡层和导电柱。第一导电层邻近于衬底的第一表面安置。第一阻挡层安置于第一导电层上。导电柱安置于第一阻挡层上。导电柱的宽度等于或小于第一阻挡层的宽度。电子组件安置于衬底的第二表面上且电连接到第一导电层。

在一或多个实施例中，一种用于制造半导体装置封装件的方法包含：(a)形成阻挡层，所述阻挡层具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；(b)在阻挡层的第一表面上形成第一导电层；(c)形成介电层以覆盖阻挡层和第一导电层以及暴露阻挡层的第二表面；和(d)在阻挡层的第二表面上形成导电柱。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述最好地理解本公开的各方面。应注意，各种特征可能未按比例绘制，且各种特征的尺寸可出于论述的清楚起见而任意增大或减小。

图1A说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装件的横截面视图。

图1B说明根据本公开的一些实施例的图1A中的半导体装置封装件的一部分的放大视图。

图2说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装件的横截面视图。

图3说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装件的横截面视图。

图4说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装件的横截面视图。

图5说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装件的横截面视图。

图6说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装件的横截面视图。

图7说明根据本公开的一些实施例的电气装置的横截面视图。

图8A、图8B、图8C、图8D、图8E、图8F和图8F'说明根据本公开的一些实施例的制造半导体装置封装件的方法。

图9A说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装件。

图9B说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装件。

贯穿图式和详细描述使用共同参考数字来指示相同或相似元件。根据以下结合附图作出的详细描述将容易理解本公开。

具体实施方式