[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810788028.4 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN110176485A | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 成田知隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供可提高可靠性的半导体装置，其具备第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第2电极和第1层。上述第1半导体区域被设置于上述第1电极之上。上述第1半导体区域具有第1区域和被设置于上述第1区域的周围的第2区域。上述第2半导体区域被设置于上述第1区域之上。上述第2电极被设置于上述第2半导体区域之上且包含金属。上述第1层包含氮化硅、氧化硅及氧氮化硅中的至少任一者。上述第1层具有第1部分、第2部分和第3部分。上述第1部分被设置于上述第2区域之上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体区域 电极 半导体装置 导电型 氧氮化硅 氮化硅 氧化硅 金属 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其具备：第1电极；第1导电型的第1半导体区域，其被设置于所述第1电极之上且具有第1区域和被设置于所述第1区域的周围的第2区域；第2导电型的第2半导体区域，其被设置于所述第1区域之上；第2电极，其被设置于所述第2半导体区域之上且包含金属；和第1层，其为包含氮化硅、氧化硅及氧氮化硅中的至少任一者的第1层，且所述第1层具有：第1部分，其被设置于所述第2区域之上且一部分位于所述第2电极之上；第2部分，其被设置于所述第1部分之上且硅的含量多于所述第1部分；和第3部分，其被设置于所述第2部分之上且硅的含量少于所述第2部分。
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