[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备：

第1电极；

第1导电型的第1半导体区域，其被设置于所述第1电极之上且具有第1区域和被设置于所述第1区域的周围的第2区域；

第2导电型的第2半导体区域，其被设置于所述第1区域之上；

第2电极，其被设置于所述第2半导体区域之上且包含金属；和

第1层，其为包含氮化硅、氧化硅及氧氮化硅中的至少任一者的第1层，且所述第1层具有：

第1部分，其被设置于所述第2区域之上且一部分位于所述第2电极之上；

第2部分，其被设置于所述第1部分之上且硅的含量多于所述第1部分；和

第3部分，其被设置于所述第2部分之上且硅的含量少于所述第2部分。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步具备：

第1导电型的第4半导体区域，其被设置于所述第2区域之上；和

第3电极，其被设置于所述第4半导体区域之上，

其中，所述第4半导体区域被设置于所述第2半导体区域的周围且与所述第2半导体区域隔开，

所述第4半导体区域中的第1导电型的杂质浓度高于所述第1半导体区域中的所述第1导电型的杂质浓度，

所述第3电极与所述第2电极隔开地设置，

所述第1部分的一部分被设置于所述第3电极之上。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述第1层包含氮化硅，

所述第1部分中的硅的含量相对于氮的含量的比例与0.75之差的绝对值小于所述第2部分中的硅的含量相对于氮的含量的比例与0.75之差的绝对值，

所述第3部分中的硅的含量相对于氮的含量的比例与0.75之差的绝对值小于所述第2部分中的硅的含量相对于氮的含量的比例与0.75之差的绝对值。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述第1层包含氮化硅，

所述第2部分中的硅的含量相对于氮的含量的比例为1.0～1.5，

所述第3部分中的硅的含量相对于氮的含量的比例为0.7～0.95。

5.一种半导体装置，其具备：

第1电极；

第1导电型的第1半导体区域，其被设置于所述第1电极之上且具有第1区域和被设置于所述第1区域的周围的第2区域；

第2导电型的第2半导体区域，其被设置于所述第1区域之上；

第2电极，其被设置于所述第2半导体区域之上且包含金属；

第1层，其被设置于所述第2区域之上，一部分位于所述第2电极之上，且包含氮化硅、氧化硅及氧氮化硅中的至少任一者；

第2层，其被设置于所述第1层之上，包含氮化硅、氧化硅及氧氮化硅中的至少任一者，且硅的含量多于所述第1层；和

第3层，其被设置于所述第2层之上，包含氮化硅、氧化硅及氧氮化硅中的至少任一者，且硅的含量少于所述第2层。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其进一步具备：

第1导电型的第4半导体区域，其被设置于所述第2区域之上；和

第3电极，其被设置于所述第4半导体区域之上，

其中，所述第4半导体区域被设置于所述第2半导体区域的周围且与所述第2半导体区域隔开，

所述第4半导体区域中的第1导电型的杂质浓度高于所述第1半导体区域中的所述第1导电型的杂质浓度，

所述第3电极与所述第2电极隔开地设置，

所述第1层的一部分被设置于所述第3电极之上。

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其中，

所述第1层、所述第2层及所述第3层包含氮化硅，

所述第1层中的硅的含量相对于氮的含量的比例与0.75之差的绝对值小于所述第2层中的硅的含量相对于氮的含量的比例与0.75之差的绝对值，

所述第3层中的硅的含量相对于氮的含量的比例与0.75之差的绝对值小于所述第2层中的硅的含量相对于氮的含量的比例与0.75之差的绝对值。

8.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其中，

所述第1层、所述第2层及所述第3层包含氮化硅，

所述第2层中的硅的含量相对于氮的含量的比例为1.0～1.5，

所述第3层中的硅的含量相对于氮的含量的比例为0.7～0.95。