[发明专利]LED阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 201810787271.4 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN109037201A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 朱浩;范振灿;刘国旭 | 申请（专利权）人： | 易美芯光（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L33/48 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区亦庄经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED阵列及其制备方法，在LED阵列中，包括：支撑衬底；设置于支撑衬底表面预设位置的多个LED结构，LED结构中依次包括金属反射层、P电极、外延层及N电极；于支撑衬底表面与LED结构一一对应设置的MOS管，LED结构通过金属反射层和/或P电极与MOS管串联连接，每个LED结构通过与之连接的MOS管控制通断。其将LED结构和MOS管一一对应设置在支撑衬底表面，并串联连接，实现一对一的控制，在LED阵列中，简单方便的实现LED结构的独立工作，不影响阵列中其他LED结构正常工作。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底表面 一一对应设置 金属反射层 支撑 制备 控制通断 影响阵列 预设位置 外延层 一对一 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种LED阵列，其特征在于，所述LED阵列中包括：支撑衬底；设置于所述支撑衬底表面预设位置的多个LED结构，所述LED结构中依次包括金属反射层、P电极、外延层及N电极；于所述支撑衬底表面与LED结构一一对应设置的MOS管，所述LED结构通过金属反射层和/或P电极与MOS管串联连接，每个所述LED结构通过与之连接的MOS管控制通断。
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