[发明专利]LED阵列及其制备方法

说明书

本发明公开了一种LED阵列及其制备方法，在LED阵列中，包括：支撑衬底；设置于支撑衬底表面预设位置的多个LED结构，LED结构中依次包括金属反射层、P电极、外延层及N电极；于支撑衬底表面与LED结构一一对应设置的MOS管，LED结构通过金属反射层和/或P电极与MOS管串联连接，每个LED结构通过与之连接的MOS管控制通断。其将LED结构和MOS管一一对应设置在支撑衬底表面，并串联连接，实现一对一的控制，在LED阵列中，简单方便的实现LED结构的独立工作，不影响阵列中其他LED结构正常工作。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种LED阵列及其制备方法。

背景技术

Mini LED和micro LED作为新一代的显示技术，将LED结构进行微小化而来，继承了LED的特点，具备低功耗、高亮度、超高分辨率与色彩饱和度、反应速度快、超省点、寿命较长、效率较高等优点，但是，对于mini LED和micro LED通断的独立控制尚没有较好的方案。

发明内容

本发明的目的是提供一种LED阵列及其制备方法，实现了mini LED和micro LED通断的独立控制。

本发明提供的技术方案如下：

一种LED阵列，包括：

支撑衬底；

设置于所述支撑衬底表面预设位置的多个LED结构，所述LED结构中依次包括金属反射层、P电极、外延层及N电极；

于所述支撑衬底表面与LED结构一一对应设置的MOS管，所述LED结构通过金属反射层和/或P电极与MOS管串联连接，每个所述LED结构通过与之连接的MOS管控制通断。

进一步优选，当所述MOS管为N沟道MOS管时，LED结构通过金属反射层和/或P电极与MOS管的源极连接，且所述MOS管的栅极与外界控制端连接、漏极接电源正极。

进一步优选，当所述MOS管为P沟道MOS管时，LED结构通过金属反射层和/或P电极与MOS管的漏极连接，且所述MOS管的栅极与外界控制端连接、源极接电源正极。

本发明还提供了一种LED阵列制备方法，包括：

S10 在生长衬底上生长外延层，并在所述外延层表面蒸发或溅射P电极和金属反射层，得到外延结构；

S20 将预留位置处的外延结构去除；

S30 将生长衬底表面余下的外延结构转移至支撑衬底，并去除生长衬底；

S40 在支撑衬底上预留位置处制备MOS管；

S50 在外延结构中露出的外延层表面蒸发或溅射N电极，得到LED结构；

S60 沉积连接金属，将LED结构与MOS管串联连接，得到LED阵列。

进一步优选，在步骤S20中，去除的外延结构与余下的外延结构的位置一一对应。

进一步优选，在步骤S40，在支撑衬底上预留位置处制备MOS管中，具体为，在支撑衬底上预留位置处制备N沟道MOS管；

在步骤S60，沉积连接金属，将LED结构与MOS管串联连接中，具体为：沉积连接金属，将LED结构中的金属反射层和/或P电极与MOS管的源极连接，将MOS管的栅极与外界控制端连接、漏极接电源正极。

进一步优选，在步骤S20中，包括：

在步骤S40，在支撑衬底上预留位置处制备MOS管中，具体为，在支撑衬底上预留位置处制备P沟道MOS管；