[发明专利]LED阵列及其制备方法

权利要求书

1.一种LED阵列，其特征在于，所述LED阵列中包括：

支撑衬底；

设置于所述支撑衬底表面预设位置的多个LED结构，所述LED结构中依次包括金属反射层、P电极、外延层及N电极；

于所述支撑衬底表面与LED结构一一对应设置的MOS管，所述LED结构通过金属反射层和/或P电极与MOS管串联连接，每个所述LED结构通过与之连接的MOS管控制通断。

2.如权利要求1所述的LED阵列，其特征在于，当所述MOS管为N沟道MOS管时，LED结构通过金属反射层和/或P电极与MOS管的源极连接，且所述MOS管的栅极与外界控制端连接、漏极接电源正极。

3.如权利要求1所述的LED阵列，其特征在于，当所述MOS管为P沟道MOS管时，LED结构通过金属反射层和/或P电极与MOS管的漏极连接，且所述MOS管的栅极与外界控制端连接、源极接电源正极。

4.一种LED阵列制备方法，其特征在于，所述制备方法中包括：

S10 在生长衬底上生长外延层，并在所述外延层表面蒸发或溅射P电极和金属反射层，得到外延结构；

S20 将预留位置处的外延结构去除；

S30 将生长衬底表面余下的外延结构转移至支撑衬底，并去除生长衬底；

S40 在支撑衬底上预留位置处制备MOS管；

S50 在外延结构中露出的外延层表面蒸发或溅射N电极，得到LED结构；

S60 沉积连接金属，将LED结构与MOS管串联连接，得到LED阵列。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在步骤S20中，去除的外延结构与余下的外延结构的位置一一对应。

6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，

在步骤S40，在支撑衬底上预留位置处制备MOS管中，具体为，在支撑衬底上预留位置处制备N沟道MOS管；

在步骤S60，沉积连接金属，将LED结构与MOS管串联连接中，具体为：沉积连接金属，将LED结构中的金属反射层和/或P电极与MOS管的源极连接，将MOS管的栅极与外界控制端连接、漏极接电源正极。

7.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在步骤S20中，包括：

在步骤S40，在支撑衬底上预留位置处制备MOS管中，具体为，在支撑衬底上预留位置处制备P沟道MOS管；

在步骤S60，沉积连接金属，将LED结构与MOS管串联连接中，具体为：沉积连接金属，将LED结构中的金属反射层和/或P电极与MOS管的漏极连接，将MOS管的栅极与外界控制端连接、源极接电源正极。

8.如权利要求4-7任意一项所述的制备方法，其特征在于，在步骤S40，在支撑衬底上预留位置处制备MOS管中，采用沉积的方法制备栅极氧化硅。

9.如权利要求4-7任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述N电极/P电极为ITO或Al或Au。

10.如权利要求4-7任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述金属反射层为Cr或Pt或Al或Au。