[发明专利]LED阵列结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201810787263.X | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN109037200B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 朱浩;范振灿;刘国旭 | 申请（专利权）人： | 易美芯光（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L33/48;H01L21/50 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区亦庄经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED阵列结构及其制备方法，包括：多个LED结构，LED结构中依次包括金属反射层、P型欧姆接触层、外延层及透明N电极；与LED结构一一对应设置的MOS管，LED结构通过金属反射层键合或粘结在MOS管表面，每个LED结构通过与之连接的MOS管控制通断；及设置在多个LED结构N电极表面的公共透明导电层。其将控制LED结构通断的MOS管通过键合或粘结的方式进行连接，实现一对一的控制，在LED阵列结构中，简单方便的实现LED结构的独立工作，不影响阵列结构中其他LED结构正常工作。 | ||
| 搜索关键词： | led 阵列 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LED阵列结构，其特征在于，所述LED阵列结构中包括：多个LED结构，所述LED结构中依次包括金属反射层、P型欧姆接触层、外延层及透明N电极；与LED结构一一对应设置的MOS管，所述LED结构通过金属反射层键合或粘结在MOS管表面，每个所述LED结构通过与之连接的MOS管控制通断；及设置在多个LED结构N电极表面的公共透明导电层。
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