[发明专利]LED阵列结构及其制备方法

权利要求书

1.一种LED阵列结构，其特征在于，所述LED阵列结构中包括：

多个LED结构，所述LED结构中依次包括金属反射层、P型欧姆接触层、外延层及透明N电极；

与LED结构一一对应设置的MOS管，所述LED结构通过金属反射层键合或粘结在MOS管表面，每个所述LED结构通过与之连接的MOS管控制通断；及

设置在多个LED结构N电极表面的公共透明导电层。

2.如权利要求1所述的LED阵列结构，其特征在于，当所述MOS管为N沟道MOS管时，LED结构通过金属反射层键合或粘结至MOS管的源极，且所述MOS管的栅极与外界控制端连接、漏极接电源正极。

3.如权利要求1所述的LED阵列结构，其特征在于，当所述MOS管为P沟道MOS管时，LED结构通过金属反射层键合或粘结至MOS管的漏极，且所述MOS管的栅极与外界控制端连接、源极接电源正极。

4.一种LED阵列制备方法，其特征在于，所述制备方法中包括：

S10 在生长衬底上生长外延层，并在所述外延层表面蒸发或溅射P型欧姆接触层和金属反射层；

S20 根据LED结构的大小制备相应尺寸的MOS管，并将MOS管依次键合或粘结在金属反射层表面；

S30 去除生长衬底，并在露出的外延层表面蒸发或溅射透明N电极；

S40 通过腐蚀的方法在预设沟道中去除透明N电极、外延层、P型欧姆接触层、金属反射层及粘结材料，得到分立的LED结构，其中，每个LED结构与一个MOS管连接；

S50 将公共透明导电层设置于LED结构N电极表面，得到LED阵列结构。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在步骤S20中，包括：

S21 根据LED结构的大小制备相应尺寸的N沟道MOS管；

S22 通过金属材料分别将MOS管的栅极、源极及漏极引出，并在栅极、源极及漏极之间设置绝缘材料，其中，将源极引至MOS管的上表面，将栅极和漏极引至MOS管的侧边；

S23 将MOS管的上表面与金属反射层键合或粘结。

6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在步骤S20中，包括：

S24 根据LED结构的大小制备相应尺寸的P沟道MOS管；

S25 通过金属材料分别将MOS管的栅极、源极及漏极引出，并在栅极、源极及漏极之间设置绝缘材料，其中，将漏极引至MOS管的上表面，将栅极和源极引至MOS管的侧边；

S26 将MOS管的上表面与金属反射层键合或粘结。

7.如权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述粘结材料为In或Sn或锡膏或银胶。

8.如权利要求4或5或6所述的制备方法，其特征在于，所述P型欧姆接触层为ITO或Al或Au。

9.如权利要求4或5或6所述的制备方法，其特征在于，所述金属反射层为Cr或Pt或Al或Au。

10.如权利要求4或5或6所述的制备方法，其特征在于，所述透明N电极为ITO或AZO或FTO。