[发明专利]LED阵列结构及其制备方法

说明书

本发明公开了一种LED阵列结构及其制备方法，包括：多个LED结构，LED结构中依次包括金属反射层、P型欧姆接触层、外延层及透明N电极；与LED结构一一对应设置的MOS管，LED结构通过金属反射层键合或粘结在MOS管表面，每个LED结构通过与之连接的MOS管控制通断；及设置在多个LED结构N电极表面的公共透明导电层。其将控制LED结构通断的MOS管通过键合或粘结的方式进行连接，实现一对一的控制，在LED阵列结构中，简单方便的实现LED结构的独立工作，不影响阵列结构中其他LED结构正常工作。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种LED阵列结构及其制备方法。

背景技术

Mini LED和micro LED作为新一代的显示技术，将LED结构进行微小化而来，继承了LED的特点，具备低功耗、高亮度、超高分辨率与色彩饱和度、反应速度快、超省点、寿命较长、效率较高等优点，但是，对于mini LED和micro LED通断的独立控制尚没有较好的方案。

发明内容

本发明的目的是提供一种LED阵列结构及其制备方法，实现了mini LED和microLED通断的独立控制。

本发明提供的技术方案如下：

一种LED阵列结构，包括：

多个LED结构，所述LED结构中依次包括金属反射层、P型欧姆接触层、外延层及透明N电极；

与LED结构一一对应设置的MOS管，所述LED结构通过金属反射层键合或粘结在MOS管表面，每个所述LED结构通过与之连接的MOS管控制通断；及

设置在多个LED结构N电极表面的公共透明导电层。

进一步优选地，当所述MOS管为N沟道MOS管时，LED结构通过金属反射层键合或粘结至MOS管的源极，且所述MOS管的栅极与外界控制端连接、漏极接电源正极。

进一步优选地，当所述MOS管为P沟道MOS管时，LED结构通过金属反射层键合或粘结至MOS管的漏极，且所述MOS管的栅极与外界控制端连接、源极接电源正极。

本发明还提供了一种LED阵列制备方法，包括：

S10 在生长衬底上生长外延层，并在所述外延层表面蒸发或溅射P型欧姆接触层和金属反射层；

S20 根据LED结构的大小制备相应尺寸的MOS管，并将MOS管依次键合或粘结在金属反射层表面；

S30 去除生长衬底，并在露出的外延层表面蒸发或溅射透明N电极；

S40 通过腐蚀的方法在预设沟道中去除透明N电极、外延层、P型欧姆接触层、金属反射层及粘结材料，得到分立的LED结构，其中，每个LED结构与一个MOS管连接；

S50 将公共透明导电层设置于LED结构N电极表面，得到LED阵列结构。

进一步优选地，在步骤S20中，包括：

S21 根据LED结构的大小制备相应尺寸的N沟道MOS管；

S22 通过金属材料分别将MOS管的栅极、源极及漏极引出，并在栅极、源极及漏极之间设置绝缘材料，其中，将源极引至MOS管的上表面，将栅极和漏极引至MOS管的侧边；

S23 将MOS管的上表面与金属反射层键合或粘结。

进一步优选地，在步骤S20中，包括：

S24 根据LED结构的大小制备相应尺寸的P沟道MOS管；