[发明专利]像素电路及液晶显示面板在审
| 申请号: | 201810786716.7 | 申请日: | 2018-07-17 | 
| 公开(公告)号: | CN108983517A | 公开(公告)日: | 2018-12-11 | 
| 发明(设计)人: | 王金杰 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 | 
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G09G3/36 | 
| 代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 | 
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 | 
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| 摘要: | 本发明提供一种像素电路及液晶显示面板。该像素电路采用2T结构,一方面通过设置与次区液晶电容(Clc2)串联的分压电容(Cs)或设置次区薄膜晶体管(T2)的沟道长宽比小于主区薄膜晶体管(T1)的沟道长宽比,使得次区液晶电容(Clc2)上的电压小于主区液晶电容(Clc1)上的电压,能够明显改善色偏;另一方面,相比现有的3T结构的像素电路省去了用于为像素次区放电的第三薄膜晶体管,能够消除该第三薄膜晶体管放电对阵列基板侧公共电极(Acom)的影响,减少水平串扰现象的发生,并进一步提高像素开口率。 | ||
| 搜索关键词: | 薄膜晶体管 像素电路 次区 液晶电容 液晶显示面板 长宽比 放电 沟道 主区 像素开口率 分压电容 公共电极 水平串扰 基板 色偏 像素 串联 | ||
【主权项】:
                1.一种像素电路,其特征在于,仅采用两个薄膜晶体管,包括像素主区(PM)及像素次区(PS);所述像素主区(PM)内设有主区薄膜晶体管(T1)、主区存储电容(Cst1)及主区液晶电容(Clc1);所述主区薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接扫描线(G(n)),源极电性连接数据线(D(m)),漏极电性连接主区存储电容(Cst1)的一端及主区液晶电容(Clc1)的一端;所述主区存储电容(Cst1)的另一端电性连接阵列基板侧公共电极(Acom);所述主区液晶电容(Clc1)的另一端电性连接彩膜基板侧公共电极(CFcom);所述像素次区(PS)内设有一个次区薄膜晶体管(T2)、次区存储电容(Cst2)、次区液晶电容(Clc2)及与所述次区液晶电容(Clc2)串联的分压电容(Cs);所述次区薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接扫描线(G(n)),源极电性连接数据线(D(m)),漏极电性连接分压电容(Cs)的一端及次区存储电容(Cst2)的一端;所述分压电容(Cs)的另一端电性连接所述次区液晶电容(Clc2)的一端;所述次区液晶电容(Clc2)的另一端电性连接彩膜基板侧公共电极(CFcom);所述次区存储电容(Cst2)的另一端电性连接阵列基板侧公共电极(Acom);所述分压电容(Cs)的分压作用使得所述次区液晶电容(Clc2)上的电压小于所述主区液晶电容(Clc1)上的电压。
            
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