[发明专利]像素电路及液晶显示面板

说明书

本发明提供一种像素电路及液晶显示面板。该像素电路采用2T结构，一方面通过设置与次区液晶电容(Clc2)串联的分压电容(Cs)或设置次区薄膜晶体管(T2)的沟道长宽比小于主区薄膜晶体管(T1)的沟道长宽比，使得次区液晶电容(Clc2)上的电压小于主区液晶电容(Clc1)上的电压，能够明显改善色偏；另一方面，相比现有的3T结构的像素电路省去了用于为像素次区放电的第三薄膜晶体管，能够消除该第三薄膜晶体管放电对阵列基板侧公共电极(Acom)的影响，减少水平串扰现象的发生，并进一步提高像素开口率。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种像素电路及液晶显示面板。

背景技术

液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)，简称液晶面板，具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛地应用，如：液晶电视、智能手机、数字相机、平板电脑、计算机屏幕、或笔记本电脑屏幕等，在平板显示领域中占主导地位。

液晶显示面板是由一彩膜基板(Color Filter，CF)、一薄膜晶体管阵列基板(ThinFilm Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)以及一配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成。液晶显示面板内设有多个呈阵列式排布的像素(Pixel)，当在两片基板上施加驱动电压时，各个像素在像素电路的驱动下进行显示。

就目前主流市场上的液晶显示面板而言，可分为三种类型，分别是扭曲向列(Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列(Super Twisted Nematic，STN)型、平面转换(In-Plane Switching，IPS)型及垂直配向(Vertical Alignment，VA)型。其中，VA型液晶显示面板相对其它种类的液晶显示面板具有更高的对比度，在大尺寸显示，如液晶电视等方面具有非常广地应用。

现有的VA型液晶显示面板大多采用3T(即三个薄膜晶体管)结构的像素电路。请参阅图1，3T结构的像素电路包括设于像素主(Main)区PM之内的第一薄膜晶体管T100及设于像素次(Sub)区PS之内的第二薄膜晶体管T200与第三薄膜晶体管T300。所述第一薄膜晶体管T100的栅极电性连接扫描线G(n)(n为正整数，表示像素所在的行数)，源极电性连接数据线D(m)(m为正整数，表示像素所在的列数)，漏极电性连接第一存储电容Cst1及第一液晶电容Clc1；所述第二薄膜晶体管T200的栅极电性连接扫描线G(n)，源极电性连接数据线D(m)，漏极电性连接第二存储电容Cst2及第二液晶电容Clc2；所述第三薄膜晶体管T300的栅极电性连接扫描线G(n)，源极电性连接第二薄膜晶体管T200的漏极，漏极直接电性连接在阵列基板侧公共电极Acom上。

当所述扫描线G(n)传输的扫描信号作用时：在像素主区PM内，所述第一薄膜晶体管T100打开，所述数据线D(m)传输的数据信号会向第一存储电容Cst1及第一液晶电容Clc1充电；而在像素次区PS内，所述第二薄膜晶体管T200与第三薄膜晶体管T300均打开，在所述数据线D(m)传输的数据信号向第二存储电容Cst2及第二液晶电容Clc2充电的同时，打开的第三薄膜晶体管T300向阵列基板侧公共电极Acom实施放电；这样，待所述扫描线G(n)传输的扫描信号作用完毕后，像素次区PS内的第二液晶电容Clc2上的电压便会低于像素主区PM内的第一液晶电容Clc1上的电压，能够达到降低色偏(Color Shift)的效果。

受到制程稳定性等因素的影响，上述3T结构的像素电路中各个薄膜晶体管尤其是第三薄膜晶体T300的沟道长宽比差异较大，导致其IV特性浮动比较大，那么第三薄膜晶体T300放电对阵列基板侧公共电极Acom的影响就会较大，导致在显示画面时阵列基板侧公共电极Acom产生电压跳变，且电压跳变的差异较大，受阵列基板侧公共电极Acom电压跳变的影响，画面显示会出现水平串扰(Crosstalk)现象。

发明内容