[发明专利]一种采用内热法制备碳化硅的方法在审
| 申请号： | 201810786351.8 | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN108529630A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 李斌川;韩庆;孙敏;王飞;陈建设;刘奎仁 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984 |
| 代理公司： | 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11613 | 代理人： | 韩国胜 |
| 地址： | 110169 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种采用内热法制备碳化硅的方法，包括如下步骤：步骤一、对晶体硅切割废料进行预处理。步骤二、将碳源、粘结剂、水和预处理后的晶体硅切割废料进行混合得到混合物料，然后压制成型得到球团，再对球团进行干燥。步骤三、将干燥后的球团置于反应炉。步骤四、将反应炉通电，然后使炉体内保持一定温度并保温得到碳化硅结晶块。步骤五、对碳化硅结晶块进行破碎和处理，得到α‑碳化硅粉。本发明中采用内热法制备碳化硅的方法，首次将晶体硅切割废料与艾奇逊炉工艺相结合，能够大大降低反应温度、降低能耗，同时以晶体硅切割废料为原料、大大降低了生产成本，最终得到单一晶型的α‑SiC。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体硅切割废料 碳化硅 内热 球团 预处理 碳化硅结晶 反应炉 艾奇逊炉 单一晶型 混合物料 碳化硅粉 粘结剂 生产成本 保温 破碎 通电 体内 | ||
【主权项】：
1.一种采用内热法制备碳化硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、对晶体硅切割废料进行预处理；步骤二、将碳源、粘结剂、水和预处理后的晶体硅切割废料进行混合得到混合物料，然后压制成型得到球团，再对所述球团进行干燥；步骤三、将干燥后的球团置于反应炉中，并使所述反应炉的炉芯埋布于所述前驱体反应物的中央；步骤四、将所述反应炉通电，使所述炉芯的温度达到1400～1600℃，然后通过控制所述炉芯的电流，使炉体内的温度保持在2000～2500℃，并保温，保温结束后得到碳化硅结晶块；步骤五、将所述碳化硅结晶块进行破碎，然后脱除所述破碎后的碳化硅结晶块表面的碳组分后，得到α‑碳化硅粉；其中，所述反应炉包括具有开口的所述炉体，在所述炉体内设有所述炉芯，且所述炉芯的两端接电。
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