[发明专利]一种利用晶体硅切割废料制备碳化硅的方法

摘要

本发明涉及一种利用晶体硅切割废料制备碳化硅的方法，包括如下步骤：S1、将晶体硅切割废料、碳源、粘结剂和水混合得到待模压物料。S2、将待模压物料压制成型得到球团。S3、对球团干燥得到前驱体反应物。S4、将前驱体反应物置于反应炉中。S5、对反应炉通电，然后使炉体内保持一定温度并保温得到碳化硅结晶块。S6、对碳化硅结晶块进行破碎和处理，得到β‑碳化硅粉。本发明中利用晶体硅切割废料制备碳化硅的方法首次将晶体硅切割废料与艾奇逊炉工艺相结合，不仅解决了现有中晶体硅切割废料对环境的污染问题和资源浪费的问题，同时制备时反应温度较低，大大降低了能耗、节约成本，且最终制得的为单一晶型的β‑碳化硅。

主权项

1.一种利用晶体硅切割废料制备碳化硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将晶体硅切割废料、碳源、粘结剂和水进行混合，得到待模压物料，其中，所述晶体硅切割废料与所述碳源的质量比为1.8～2.5:1；S2、将所述待模压物料压制成型，得到球团；S3、对所述球团进行干燥，得到前驱体反应物；S4、将所述前驱体反应物置于反应炉中，并使所述反应炉的炉芯埋布于所述前驱体反应物的中央，其中，所述反应炉包括具有开口的炉体，在所述炉体内设有所述炉芯，且所述炉芯的两端接电；S5、将所述反应炉通电，使所述炉芯的温度达到1000～1500℃，然后通过控制所述炉芯的电流，使所述炉体内的温度保持在1500～1900℃，并保温，保温结束后得到碳化硅结晶块；S6、将所述碳化硅结晶块进行破碎，然后脱除所述破碎后的碳化硅结晶块表面的碳组分后，得到β‑碳化硅粉。