[发明专利]具有镍镀层的半导体封装及其制造方法在审
| 申请号： | 201810781986.9 | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN109285813A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 吴顺禄 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/29;H01L23/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种用于制造半导体封装的方法包括提供衬底，至少部分地将衬底包封在包封体中，通过电镀在所述衬底的第一表面上沉积第一Ni层，以及通过无电镀Ni在第一Ni层上沉积第二Ni层。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体封装 沉积 第一表面 电镀 包封体 镍镀层 无电镀 包封 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体封装的方法，所述方法包括：提供衬底；至少部分地将所述衬底包封在包封体中；通过电镀在所述衬底的第一表面上沉积第一Ni层；以及通过无电镀Ni在所述第一Ni层上沉积第二Ni层。
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