[发明专利]具有镍镀层的半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体封装的方法，所述方法包括：

提供衬底；

至少部分地将所述衬底包封在包封体中；

通过电镀在所述衬底的第一表面上沉积第一Ni层；以及

通过无电镀Ni在所述第一Ni层上沉积第二Ni层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一Ni层仅被沉积在所述半导体封装的第一主面上，并且其中，所述第二Ni层被沉积在所述半导体封装的所述第一主面上以及至少一个侧面上。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，当所述半导体封装仍在人工晶片上时，执行对所述第一Ni层的沉积，并且其中，在分离所述半导体封装之后，执行对所述第二Ni层的沉积。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，沉积所述第一Ni层包括将所述人工晶片整个浸入电解质溶液中。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其中，分离包括从所述半导体封装的至少一个侧面上的Cu焊盘去除毛刺。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二Ni层被直接沉积在所述至少一个侧面上的所述Cu焊盘上。

7.根据前述权利要求中的一项所述的方法，还包括：

在所述第一Ni层和所述第二Ni层上沉积第三层，其中，所述第三层包括Au、Ag、Pd和Sn中的一个或多个。

8.根据前述权利要求中的一项所述的方法，其中，所述衬底包括引线框架。

9.一种用于制造半导体封装的方法，所述方法包括：

提供衬底，其中，所述衬底在第一表面上包括第一Ni层；

至少部分地将所述衬底和所述第一Ni层包封在包封体中；以及

通过无电镀Ni在所述第一Ni层上沉积第二Ni层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，包封所述衬底包括：将所述衬底布置在临时载体上以使得所述第一Ni层面向所述临时载体，以及模塑所述衬底和所述临时载体。

11.根据权利要求9或10所述的方法，其中，所述第一Ni层被布置在所述衬底上以使得所述第一Ni层的第一面背对所述衬底，并且其中，所述包封体的第一主面与所述第一Ni层的所述第一面共面。

12.根据权利要求9到11中一项所述的方法，其中，所述第一Ni层具有处于0.2μm到10μm的范围内的厚度。

13.根据权利要求9到12中的一项所述的方法，还包括：

在沉积所述第二Ni层之前，从人工晶片分离所述半导体封装。

14.一种半导体封装，包括：

包封体；

衬底，所述衬底可以在所述包封体的第一主面和至少一个侧面上从所述包封体暴露出来；

第一Ni层，其被布置在所述包封体的所述第一主面处的所述衬底上；以及

第二Ni层，其被布置在所述第一Ni层上以及所述包封体的所述至少一个侧面处的所述衬底上。

15.根据权利要求14所述的半导体封装，其中，所述第二Ni层包括磷，并且其中，所述第一Ni层没有磷。

16.根据权利要求15所述的半导体封装，其中，所述第二Ni层的磷含量在5％到12％的范围内。

17.根据权利要求14到16中的一项所述的半导体封装，其中，所述第一Ni层是Ni电镀层，并且其中，所述第二Ni层是无电镀Ni层。