[发明专利]具有镍镀层的半导体封装及其制造方法

说明书

一种用于制造半导体封装的方法包括提供衬底，至少部分地将衬底包封在包封体中，通过电镀在所述衬底的第一表面上沉积第一Ni层，以及通过无电镀Ni在第一Ni层上沉积第二Ni层。

技术领域

本公开总体上涉及一种包括Ni镀层的半导体封装和用于制造这种半导体封装的方法。

背景技术

半导体封装可以包括由一个或多个金属层覆盖的外接触部。这种金属层可以用于例如改善半导体封装的电特性、用于使得能够将外接触部连接到客户板上的焊盘、或用于改善外接触部的耐用性。Ni是用于覆盖外接触部的这种金属的示例。这种金属层的制造可以包括几个步骤，可能需要昂贵的机器，可能包括使用昂贵的催化剂并且可能很耗时。改进的制造方法可以帮助克服这些问题并且还可以产出具有改善的电特性和/或机械特性的半导体封装。

出于这些和其它原因，需要改进的半导体封装和用于制造半导体封装的改进方法。

发明内容

各种方面涉及用于制造半导体封装的方法，其中所述方法包括：提供衬底，至少部分地将衬底包封在包封体中，通过电镀(electroplating)在衬底的第一表面上沉积第一Ni层，以及通过无电镀Ni(electroless Ni plating)在第一Ni层上沉积第二Ni层。

各种方面涉及用于制造半导体封装的方法，其中所述方法包括：提供衬底，其中衬底在第一表面上包括第一Ni层，至少部分地将衬底和第一Ni层包封在包封体中，以及通过无电镀Ni在第一Ni层上沉积第二Ni层。

各种方面涉及半导体封装，其中半导体封装包括：包封体；衬底，衬底在包封体的第一主面和至少一个侧面上从包封体暴露出来；第一Ni层，其布置在包封体的第一主面处的衬底上；以及第二Ni层，其布置在第一Ni层上并且布置在包封体的至少一个侧面处的衬底上。

附图说明

附图示出了示例并与说明书一起用于解释本公开的原理。将容易地领会到本公开的其它示例和很多期望优点，因为通过参考以下具体实施方式，这些其它示例和很多期望优点变得更好理解。附图的元件未必相对于彼此成比例。类似的附图标记指示对应的类似部分。

图1A示出了在第一主面上包括外接触部的示例性半导体封装的侧视图。

图1B示出了图1A的半导体封装的侧视图，其中金属层被布置在外接触部上。

图2A到图2H示出了根据示例性制造方法的在生产的各阶段中的半导体封装的侧视图。

图3示出了另一示例性半导体封装的侧视图。

图4A到图4D示出了根据另一示例性制造方法的在生产的各阶段中的半导体封装的侧视图。

图5示出了包括外接触部的半导体封装的透视图，其中外接触部被暴露在半导体封装的第一主面和侧面上。

图6示出了用于制造半导体封装的示例性方法的流程图。

图7示出了用于制造半导体封装的另一示例性方法的流程图。

具体实施方式

在以下具体实施方式中，参考了附图。然而，对于本领域的技术人员而言显而易见的是，本公开的一个或多个方面可以用较小程度的具体细节来实践。在其它实例中，以示意的形式示出了已知结构和元件以便于描述本公开的一个或多个方面。就此而言，参考所述附图的取向来使用方向术语，例如“顶部”、“底部”、“左”、“右”、“上”、“下”等。因为可以按若干不同取向定位本公开的部件，所以使用方向术语是出于例示的目的，而绝非进行限制。要理解的是可以利用其它示例，并且可以做出结构或逻辑上的变化而不脱离本发明的范围。因此，不应以限制性意义理解以下具体实施方式，并且本发明的范围由所附权利要求限定。