[发明专利]一种功率器件及其制作方法

摘要

本发明提供一种功率器件及其制作方法，包括：第一导电类型的衬底；形成于所述衬底上表面的第一导电类型的外延层；形成于所述外延层上的外延沟槽；形成于所述外延沟槽侧壁的隔离层；形成于所述外延沟槽内的第二导电类型的第一外延区、第一导电类型的第二外延区和第一导电类型的第三外延区，所述第三外延区的离子浓度低于所述第二外延区；形成于所述外延层上表面的源区；栅极氧化硅层和高阻多晶硅层；介质层；第一金属层及第二金属层，所述第一金属层贯穿所述介质层与所述源区连接形成源极，所述第二金属层贯穿所述介质层与所述高阻多晶硅层连接形成栅极；第三金属层，所述第三金属层与所述衬底1连接形成漏极。本发明提高器件性能降低器件成本。

主权项

1.一种功率器件，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底；形成于所述衬底上表面的第一导电类型的外延层；形成于所述外延层上的外延沟槽，所述外延沟槽贯穿所述外延层且所述外延沟槽底部与所述衬底连接；形成于所述外延沟槽侧壁的隔离层；由下而上依次形成于所述外延沟槽内的第二导电类型的第一外延区、第一导电类型的第二外延区和第一导电类型的第三外延区，所述第三外延区的离子浓度低于所述第二外延区；形成于所述外延层上表面的源区；形成于所述外延层上表面的栅极氧化硅层和高阻多晶硅层，所述高阻多晶硅层与所述第三外延区上表面连接；形成于所述高阻多晶硅层和所述外延层上方的介质层；形成于所述介质层上方的第一金属层及第二金属层，所述第一金属层贯穿所述介质层与所述源区连接形成源极，所述第二金属层贯穿所述介质层与所述高阻多晶硅层连接形成栅极；形成于所述衬底下表面的第三金属层，所述第三金属层与所述衬底连接形成漏极。