[发明专利]一种功率器件及其制作方法

权利要求书

1.一种功率器件，其特征在于，包括：

第一导电类型的衬底；

形成于所述衬底上表面的第一导电类型的外延层；

形成于所述外延层上的外延沟槽，所述外延沟槽贯穿所述外延层且所述外延沟槽底部与所述衬底连接；

形成于所述外延沟槽侧壁的隔离层；

由下而上依次形成于所述外延沟槽内的第二导电类型的第一外延区、第一导电类型的第二外延区和第一导电类型的第三外延区，所述第三外延区的离子浓度低于所述第二外延区，所述第三外延区的上表面与所述外延层上表面持平；

形成于所述外延层上表面的源区；

形成于所述外延层上表面的栅极氧化硅层和高阻多晶硅层，所述高阻多晶硅层与所述第三外延区上表面连接，其中，所述栅极氧化硅层的一端延伸至所述源区，另一端与所述隔离层靠近所述源区的一端连接，所述高阻多晶硅层位于所述外延沟槽以及所述栅极氧化硅层的上表面；

形成于所述高阻多晶硅层和所述外延层上方的介质层；

形成于所述介质层上方的第一金属层及第二金属层，所述第一金属层贯穿所述介质层与所述源区连接形成源极，所述第二金属层贯穿所述介质层与所述高阻多晶硅层连接形成栅极；

形成于所述衬底下表面的第三金属层，所述第三金属层与所述衬底连接形成漏极。

2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述隔离层为形成于所述外延沟槽侧壁的氧化硅层。

3.一种功率器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一导电类型的衬底；

在所述衬底的上表面形成第一导电类型的外延层；

在所述外延层上表面形成外延沟槽，所述外延沟槽贯穿所述外延层且所述外延沟槽底部与所述衬底连接；

在所述外延沟槽的侧壁形成隔离层；

在所述外延沟槽内由下而上依次形成第二导电类型的第一外延区、第一导电类型的第二外延区和第一导电类型的第三外延区，所述第三外延区的离子浓度低于所述第二外延区，所述第三外延区的上表面与所述外延层上表面持平；

在所述外延层上表面形成源区；

在所述外延层上表面形成栅极氧化硅层和高阻多晶硅层，所述高阻多晶硅层与所述第三外延区上表面连接，其中，在所述外延层上表面形成栅极氧化硅层和高阻多晶硅层包括：在所述外延层的上表面形成栅极氧化硅层，所述栅极氧化硅层的一端延伸至所述源区，另一端与所述隔离层靠近所述源区的一端连接；在所述外延沟槽上表面以及所述栅极氧化硅层上表面形成所述高阻多晶硅层；

在所述高阻多晶硅层和所述外延层上方形成介质层；

在所述介质层上方形成第一金属层及第二金属层，所述第一金属层贯穿所述介质层与所述源区连接形成源极，所述第二金属层贯穿所述介质层与所述高阻多晶硅层连接形成栅极；

在所述衬底下表面形成第三金属层，所述第三金属层与所述衬底连接形成漏极。

4.根据权利要求3所述的功率器件的制作方法，其特征在于，在所述外延沟槽的侧壁形成隔离层具体包括：

在所述外延层的上表面以及所述沟槽的侧壁和底面通过热氧化形成氧化硅层；

通过干法刻蚀去除所述外延层上表面及所述沟槽底面的氧化硅层，以形成所述隔离层。

5.根据权利要求3所述的功率器件的制作方法，其特征在于，在所述外延层上表面形成源区具体包括：在所述外延层上表面注入离子形成所述源区。