[发明专利]用于减弱高频信号对离子源的影响方法有效
| 申请号： | 201810772448.3 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN109089373B | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 王景峰;贾先禄;宋国芳;张贺;纪彬 | 申请（专利权）人： | 中国原子能科学研究院 |
| 主分类号： | H05H7/08 | 分类号： | H05H7/08;H05H13/00 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 曹晓斐 |
| 地址： | 10241*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于减弱高频信号对离子源的影响方法，包括内部离子源及其支撑件、中心区圆筒及高频腔体，其在中心区圆筒的尾部内壁与内部离子源支撑件的头部之间设有第一信号转移结构，且在内部离子源的顶部与高频腔体的底面之间设有第二信号转移结构；其中，第一信号转移结构分别抵接中心区圆筒的尾部内壁与内部离子源支撑件的头部，其用于将中心区圆筒上的高频信号转移至离子源支撑件，第二信号转移结构分别抵接内部离子源的顶部与高频腔体的底面，其用于将高频腔体的高频信号转移至内部离子源。本发明可以将回旋加速器中的高频信号转移至地电位，从而减少信号干扰的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减弱 高频 信号 离子源 影响 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于减弱高频信号对离子源的影响方法，包括内部离子源及其支撑件、中心区圆筒、主磁铁及高频腔体，其特征在于，在所述中心区圆筒的尾部内壁与所述内部离子源支撑件的头部之间设有第一信号转移结构，且在所述内部离子源的顶部与所述高频腔体的底面之间设有第二信号转移结构；其中，所述第一信号转移结构分别抵接所述中心区圆筒的尾部内壁与所述内部离子源支撑件的头部，其用于将所述中心区圆筒上的高频信号转移至所述离子源支撑件，所述第二信号转移结构分别抵接所述内部离子源的顶部与所述高频腔体的底面，其用于将所述高频腔体的高频信号转移至所述内部离子源。
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