[发明专利]用于减弱高频信号对离子源的影响方法有效

专利信息
申请号: 201810772448.3 申请日: 2018-07-13
公开(公告)号: CN109089373B 公开(公告)日: 2020-03-24
发明(设计)人: 王景峰;贾先禄;宋国芳;张贺;纪彬 申请(专利权)人: 中国原子能科学研究院
主分类号: H05H7/08 分类号: H05H7/08;H05H13/00
代理公司: 北京维正专利代理有限公司 11508 代理人: 曹晓斐
地址: 10241*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 用于 减弱 高频 信号 离子源 影响 方法
【权利要求书】:

1.一种用于减弱高频信号对离子源的影响方法,包括内部离子源及内部离子源支撑件、中心区圆筒、主磁铁及高频腔体,其特征在于,在所述中心区圆筒的尾部内壁与所述内部离子源支撑件的头部之间设有第一信号转移结构,且在所述内部离子源的顶部与所述高频腔体的底面之间设有第二信号转移结构;其中,所述第一信号转移结构分别抵接所述中心区圆筒的尾部内壁与所述内部离子源支撑件的头部,其用于将所述中心区圆筒上的高频信号转移至所述离子源支撑件,所述第二信号转移结构分别抵接所述内部离子源的顶部与所述高频腔体的底面,其用于将所述高频腔体的高频信号转移至所述内部离子源;所述内部离子源支撑件的电位与地面电位相同;所述第一信号转移结构为圆环金属接触式弹簧片;所述第二信号转移结构为多点金属接触式弹簧片;

制作所述圆环金属接触式弹簧片的材料为铍铜,且其接触压力范围为360N/m~2080N/m;

制作所述多点金属接触式弹簧片的材料为铍铜,且其接触压力范围为360N/m~2080N/m。

2.根据权利要求1所述的用于减弱高频信号对离子源的影响方法,其特征在于,所述圆环金属接触式弹簧片通过锡焊方式分别与所述中心区圆筒的尾部内壁和所述内部离子源支撑件的头部固定连接。

3.根据权利要求1所述的用于减弱高频信号对离子源的影响方法,其特征在于,所述多点金属接触式弹簧片通过锡焊方式分别与所述内部离子源的顶部和所述高频腔体的底面固定连接。

4.根据权利要求1所述的用于减弱高频信号对离子源的影响方法,其特征在于,所述中心区圆筒与所述高频腔体相连通,且两者为一体成型结构。

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