[发明专利]用于减弱高频信号对离子源的影响方法

说明书

本发明公开了一种用于减弱高频信号对离子源的影响方法，包括内部离子源及其支撑件、中心区圆筒及高频腔体，其在中心区圆筒的尾部内壁与内部离子源支撑件的头部之间设有第一信号转移结构，且在内部离子源的顶部与高频腔体的底面之间设有第二信号转移结构；其中，第一信号转移结构分别抵接中心区圆筒的尾部内壁与内部离子源支撑件的头部，其用于将中心区圆筒上的高频信号转移至离子源支撑件，第二信号转移结构分别抵接内部离子源的顶部与高频腔体的底面，其用于将高频腔体的高频信号转移至内部离子源。本发明可以将回旋加速器中的高频信号转移至地电位，从而减少信号干扰的问题。

技术领域

本发明涉离子加速器领域，具体涉及一种用于减弱高频信号对离子源的影响方法。

背景技术

回旋加速器对所加速的离子的要求比较高，一般包括束流稳定、发射度好和亮度高等。因此，回旋加速器对离子源所提供的离子要求指标较高。为达到该要求指标，必须协调回旋加速器的离子源系统、引出中心区系统和高频系统之间的机械结构，以及协调电信号之间的关系，使之良好的配合，以确保回旋加速器整机的稳定运行。

回旋加速器高频加速器的电压一般为几十千伏，传统方法中内部离子源与中心区之间采用紧配的机械联结方式，无法将高频产生的电压信号和谐波信号进行有效的转移，并且内部离子源中心区处于低真空情况，增加了离子源主体机械结构与高频腔体之间的高压放电频率，并且较高电场强度会引发离子源等离子体边界不稳定，使离子源中心区不能维持稳定运行。

发明内容

针对现有技术存在的不足，本发明实施例的目的在于提供一种用于减弱高频信号对离子源的影响方法，以解决现有技术中，由于回旋加速器的内部离子源中心区处于低真空状态，使得内部离子源主体机械结构和高频腔体之间存在高压放电的现象，引发内部离子源等离子体边界不稳定，使离子源中心区不能维持稳定运行的问题。

为解决上述技术问题，本发明实施例采用的技术方案如下：

一种回旋加速器，包括内部离子源及其支撑件、中心区圆筒及高频腔体，其在所述中心区圆筒的尾部内壁与所述内部离子源支撑件的头部之间设有第一信号转移结构，且在所述内部离子源的顶部与所述高频腔体的底面之间设有第二信号转移结构；其中，所述第一信号转移结构分别抵接所述中心区圆筒的尾部内壁与所述内部离子源支撑件的头部，其用于将所述中心区圆筒上的高频信号转移至所述离子源支撑件，所述第二信号转移结构分别抵接所述内部离子源的顶部与所述高频腔体的底面，其用于将所述高频腔体的高频信号转移至所述内部离子源。

本发明实施例的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明实施例通过在所述中心区圆筒的尾部内壁与所述内部离子源支撑件的头部之间设有第一信号转移结构，且在所述内部离子源的顶部与所述高频腔体的底面之间设有第二信号转移结构，将高频腔体产生的高频信号转移至地电位，从而减弱了高频信号对内部离子源的干扰，保证了回旋加速器中心区的稳定运行。

附图说明

图1为本发明实施例的回旋加速器的局部剖面示意图；

图2为本发明实施例的回旋加速器的另一局部剖面示意图。

具体实施方式

请参阅图1和图2，结合图1和图2可以得到，本发明实施例的一种回旋加速器，包括内部离子源30及其支撑件60、中心区圆筒40及高频腔体10，其在所述中心区圆筒40的尾部内壁与所述内部离子源支撑件60的头部之间（距离不大于3.5mm）设有第一信号转移结构，且在所述内部离子源30的顶部与所述高频腔体10的底面之间设有第二信号转移结构。其中，所述中心区圆筒40包围着所述离子源支撑件60，所述内部离子源30的顶部和所述高频腔体10位置相对。