[发明专利]TFT阵列基板有效
| 申请号： | 201810752832.7 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN108983516B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 陈黎暄;王醉 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TFT阵列基板。该TFT阵列基板通过在钝化层中设置对应像素电极的凹槽，将像素电极的主干及多个像素电极分支设置于凹槽中，使像素电极的主干及多个像素电极分支完全嵌入钝化层中，或者，通过在钝化层上设置与像素电极处于同一层的平坦层，该像素电极的上表面与平坦层的上表面处于同一水平面，使像素电极完全嵌入平坦层中，提高像素电极分支的边缘电场的稳定性，以及提高相邻两个像素电极分支之间的中心区域电场的稳定性，稳定电场方向的倾斜角度，从而提高液晶显示面板的透过率，并降低液晶显示面板的暗态漏光。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的TFT层(20)、设于所述TFT层(20)上的钝化层(30)以及设于所述钝化层(30)上的像素电极(40)；所述钝化层(30)中对应像素电极(40)设有凹槽(31)，该像素电极(40)位于所述凹槽(31)中。
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