[发明专利]TFT阵列基板

说明书

本发明提供一种TFT阵列基板。该TFT阵列基板通过在钝化层中设置对应像素电极的凹槽，将像素电极的主干及多个像素电极分支设置于凹槽中，使像素电极的主干及多个像素电极分支完全嵌入钝化层中，或者，通过在钝化层上设置与像素电极处于同一层的平坦层，该像素电极的上表面与平坦层的上表面处于同一水平面，使像素电极完全嵌入平坦层中，提高像素电极分支的边缘电场的稳定性，以及提高相邻两个像素电极分支之间的中心区域电场的稳定性，稳定电场方向的倾斜角度，从而提高液晶显示面板的透过率，并降低液晶显示面板的暗态漏光。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是目前液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系平板显示装置的显示性能。

现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在薄膜晶体管阵列基板(ThinFilm Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)与彩色滤光片(ColorFilter，CF)基板之间灌入液晶分子，并在两片基板上分别施加像素电压和公共电压，通过像素电压和公共电压之间形成的电场控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线透射出来产生画面。

就目前主流市场上的TFT-LCD显示面板而言，可分为三种类型，分别是扭曲向列(Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列(Super Twisted Nematic，STN)型，平面转换(In-Plane Switching，IPS)型及垂直配向(Vertical Alignment，VA)型。其中VA型液晶显示器相对其他种类的液晶显示器具有极高的对比度，在大尺寸显示，如电视等方面具有非常广的应用。

现有的VA型液晶显示面板将导电薄膜制作于钝化(Passivation)层的表面，后续进行图案化导电薄膜形成像素电极，接着再进行配向膜涂布及配向制程。通常现有的像素电极为“米”字型图案，包括“十”字型的主干以及相对于“十”字型的主干呈45°方向延伸的的多个像素电极分支，而相邻两个像素电极分支的边缘存在较强的边缘电场，在水平方向距离像素电极较远的电场，其方向并没有很好地倾斜到45°，并且在像素电极分支的边缘，电场较为不稳定，强度较高；此外，相邻两个像素电极分支之间的中心区域，电场方向倾向于水平并且强度较低。因此，像素电极分支的高度会在一定程度影响多个像素电极分支之间的液晶排布，继而影响液晶显示面板的透过率与暗态漏光。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT阵列基板，能够提高液晶显示面板的透过率，并降低液晶显示面板的暗态漏光。

为实现上述目的，本发明提供了一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的TFT层、设于所述TFT层上的钝化层以及设于所述钝化层上的像素电极；

所述钝化层中对应像素电极设有凹槽，该像素电极位于所述凹槽中。

所述像素电极包括：呈十字形的主干、连接所述主干并沿不同方向延伸的多个像素电极分支以及连接所有像素电极分支的末端和主干的封闭框。

所述凹槽的形状与像素电极的主干及多个像素电极分支的形状相同；所述像素电极的主干及多个像素电极分支位于所述凹槽中，所述像素电极的封闭框位于钝化层上。

所述像素电极的主干及多个像素电极分支的上表面均与钝化层的上表面处于同一水平面。

多个像素电极分支分别沿与水平方向呈45°、135°、-135°、及-45°夹角的方向延伸。