[发明专利]TFT阵列基板有效
| 申请号： | 201810752832.7 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN108983516B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 陈黎暄;王醉 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tft 阵列 | ||
1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的TFT层(20)、设于所述TFT层(20)上的钝化层(30)以及设于所述钝化层(30)上的像素电极(40)；
所述钝化层(30)中对应像素电极(40)设有凹槽(31)，该像素电极(40)位于所述凹槽(31)中；
所述像素电极(40)包括：呈十字形的主干(41)、连接所述主干(41)并沿不同方向延伸的多个像素电极分支(42)以及连接所有像素电极分支(42)的末端和主干(41)的封闭框(43)；
所述凹槽(31)的形状与像素电极(40)的主干(41)及多个像素电极分支(42)的形状相同；所述像素电极(40)的主干(41)及多个像素电极分支(42)位于所述凹槽(31)中，所述像素电极(40)的封闭框(43)位于钝化层(30)上；
所述像素电极(40)的主干(41)及多个像素电极分支(42)的上表面均与钝化层(30)的上表面处于同一水平面；
所述TFT阵列基板应用于垂直配向型液晶显示面板。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，多个像素电极分支(42)分别沿与水平方向呈45°、135°、-135°、及-45°夹角的方向延伸。
3.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述像素电极(40)经由一贯穿钝化层(30)的过孔(VH)与所述TFT层(20)的漏极(25)接触；所述过孔(VH)与凹槽(31)通过同一道黄光制程制作。
4.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的TFT层(20)、设于所述TFT层(20)上的钝化层(30’)、设于所述钝化层(30’)上的像素电极(40)以及设于所述钝化层(30’)上的平坦层(50)；
所述平坦层(50)的上表面与像素电极(40)的上表面处于同一水平面；
所述像素电极(40)包括：呈十字形的主干(41)、连接所述主干(41)并沿不同方向延伸的多个像素电极分支(42)以及连接所有像素电极分支(42)的末端和主干(41)的封闭框(43)；
所述像素电极(40)的主干(41)、多个像素电极分支(42)及封闭框(43)的上表面均与平坦层(50)的上表面处于同一水平面；
所述像素电极(40)的主干(41)、多个像素电极分支(42)及封闭框(43)均被平坦层(50)间隔开；
所述TFT阵列基板应用于垂直配向型液晶显示面板。
5.如权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，多个像素电极分支(42)分别沿与水平方向呈45°、135°、-135°、及-45°夹角的方向延伸。
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