[发明专利]TFT阵列基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法。本发明的TFT阵列基板的制作方法，将有源层设置为双层结构，其中第一有源层采用碳纳米管、石墨烯、碳化硅、二硫化钼或有机半导体材料的新型半导体材料，第二有源层设置在第一有源层之上既可以作为蚀刻阻挡层保护新型半导体材料的第一有源层免受湿蚀刻及CVD工艺的损伤，又可以使TFT器件的有源层具有两种半导体材料的优良综合性能。

主权项

1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上沉积第一金属膜并图案化形成栅极(20)，在所述衬底基板(10)上形成覆盖栅极(20)的栅极绝缘层(30)；步骤S2、在所述栅极绝缘层(30)上形成第一半导体膜(410)，所述第一半导体膜(410)的材料为无机半导体材料或有机半导体材料；步骤S3、在所述第一半导体膜(410)上形成第二半导体膜(420)并对该第二半导体膜(420)进行图案化处理，得到对应于栅极(20)上方的第二有源层(42)；所述第二半导体膜(420)为金属氧化物半导体材料；步骤S4、在所述第一半导体膜(410)与第二有源层(42)上沉积第二金属膜并图案化形成漏极(51)与源极(52)，所述漏极(51)与源极(52)分别从第二有源层(42)两端延伸至第一半导体膜(410)上；步骤S5、以所述漏极(51)、源极(52)及第二有源层(42)为遮蔽层，对所述第一半导体膜(410)进行蚀刻处理，得到第一有源层(41)，所述第一有源层(41)和第二有源层(42)共同组成有源层(40)。