[发明专利]TFT阵列基板及其制作方法

说明书

本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法。本发明的TFT阵列基板的制作方法，将有源层设置为双层结构，其中第一有源层采用碳纳米管、石墨烯、碳化硅、二硫化钼或有机半导体材料的新型半导体材料，第二有源层设置在第一有源层之上既可以作为蚀刻阻挡层保护新型半导体材料的第一有源层免受湿蚀刻及CVD工艺的损伤，又可以使TFT器件的有源层具有两种半导体材料的优良综合性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板及其制作方法。

背景技术

液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，如:移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器，也称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平板显示装置，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快，而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点，因而具有广阔的应用前景。

OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是目前液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，简称AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。

薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管有源层的材料也具有多种，其中，石墨烯、碳纳米管、碳化硅、二硫化钼等新型半导体材料因具有高的迁移率、适用于制备柔性透明器件而在薄膜晶体管领域得到了极大的重视。然而这些新型半导体材料都具有一个共同的特征，在制备晶体管的时候，只能通过干刻来进行图案化，而酸湿刻及化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)工艺易对这类半导体材料造成损伤及化学掺杂。

因此，开发一种保护新型半导体材料的晶体管制备工艺具有非常重要的意义。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT阵列基板的制作方法，将有源层设置为双层结构，既可以保护新型半导体材料的第一有源层免受湿蚀刻及CVD工艺的损伤，又可以使TFT器件的有源层具有两种半导体材料的优良综合性能，且制作成本低。

本发明的目的在于提供一种TFT阵列基板，有源层不仅具有较高的迁移率，而且薄膜缺陷数目较少，TFT器件具有较高的可靠性。

为实现上述目的，本发明提供一种TFT阵列基板的制作方法，包括如下步骤：

步骤S1、提供衬底基板，在所述衬底基板上沉积第一金属膜并图案化形成栅极，在所述衬底基板上形成覆盖栅极的栅极绝缘层；

步骤S2、在所述栅极绝缘层上形成第一半导体膜，所述第一半导体膜的材料为无机半导体材料或有机半导体材料；

步骤S3、在所述第一半导体膜上形成第二半导体膜并对该第二半导体膜进行图案化处理，得到对应于栅极上方的第二有源层；所述第二半导体膜的材料为金属氧化物半导体材料；

步骤S4、在所述第一半导体膜与第二有源层上沉积第二金属膜并图案化形成漏极与源极，所述漏极与源极分别从第二有源层两端延伸至第一半导体膜上；