[发明专利]TFT阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上沉积第一金属膜并图案化形成栅极(20)，在所述衬底基板(10)上形成覆盖栅极(20)的栅极绝缘层(30)；

步骤S2、在所述栅极绝缘层(30)上形成第一半导体膜(410)，所述第一半导体膜(410)的材料为无机半导体材料或有机半导体材料；

步骤S3、在所述第一半导体膜(410)上形成第二半导体膜(420)并对该第二半导体膜(420)进行图案化处理，得到对应于栅极(20)上方的第二有源层(42)；所述第二半导体膜(420)为金属氧化物半导体材料；

步骤S4、在所述第一半导体膜(410)与第二有源层(42)上沉积第二金属膜并图案化形成漏极(51)与源极(52)，所述漏极(51)与源极(52)分别从第二有源层(42)两端延伸至第一半导体膜(410)上；

步骤S5、以所述漏极(51)、源极(52)及第二有源层(42)为遮蔽层，对所述第一半导体膜(410)进行蚀刻处理，得到第一有源层(41)，所述第一有源层(41)和第二有源层(42)共同组成有源层(40)。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

步骤S6、形成覆盖所述栅极绝缘层(30)、漏极(51)、源极(52)及有源层(40)的钝化层(60)；在所述钝化层(60)上形成对应于漏极(51)上方的通孔(61)；

步骤S7、在所述钝化层(60)上沉积第三金属膜并图案化形成像素电极(70)，所述像素电极(70)通过所述通孔(61)与所述漏极(51)相连接。

3.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一半导体膜(410)的材料为碳纳米管、石墨烯、碳化硅、二硫化钼或有机半导体材料；

所述第二半导体膜(420)的材料为铟镓锌氧化物、氧化铟、氧化锌、硫化铜铟或铟镓砷化物。

4.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中，采用等离子干刻法对所述第一半导体膜(410)进行蚀刻处理。

5.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，采用磁控溅射或化学气相沉积的方式形成所述第二半导体膜(420)；

所述步骤S3中，对第二半导体膜(420)进行图案化处理的具体过程包括依次进行的光刻胶涂布步骤、曝光步骤、显影步骤、蚀刻步骤、去光刻胶步骤；其中，对第二半导体膜(420)的蚀刻步骤采用湿法蚀刻进行蚀刻。

6.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，采用涂布的方式形成所述第一半导体膜(410)。

7.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中提供的衬底基板(10)为聚酰亚胺基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯基板或玻璃基板；

所述步骤S1中形成的栅极(20)的材料为氧化铟锡或包括钼、铝、铜、钛、镉中的一种或多种的金属材料；

所述步骤S1中形成的栅极绝缘层(30)为氮化硅层、氧化硅层、氧化铪层、氧化铝层或有机绝缘层；

所述步骤S4中形成的漏极(51)及源极(52)的材料为氧化铟锡或包括钼、铝、铜、钛、镉中的一种或多种的金属材料；

所述步骤S6中形成的钝化层(60)为氮化硅层、氧化硅层、氧化铪层、氧化铝层或有机绝缘层。