[发明专利]高压元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810735887.7 | 申请日： | 2018-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN110690267B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种高压元件及其制造方法。高压元件为N型元件，其包含：半导体层、阱区、浮接区、偏压区、本体区、本体极、栅极以及源极与漏极。其中，浮接区与偏压区具有P型导电型，且都形成于阱区的漂移区中，并接触于上表面；其中，偏压区用以电连接至预设偏压，且浮接区为电气浮接，分别用以提高崩溃防护电压与抑制寄生晶体管导通。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高压元件，包含：/n一半导体层，形成于一基板上，该半导体层于一垂直方向上，具有相对的一上表面与一下表面；/n一阱区，具有一N型导电型，形成于该上表面下并连接于该上表面；/n一浮接区，具有一P型导电型，形成于该上表面下并连接于该上表面的该阱区中，该浮接区具有一第一杂质浓度；/n一偏压区，具有该P型导电型，形成于该上表面下并连接于该上表面的该阱区中，该偏压区具有一第二杂质浓度；/n一本体区，具有该P型导电型，形成于该上表面下并连接于该上表面，并于一通道方向上接触该阱区，该本体区具有一第三杂质浓度，其中该第三杂质浓度高于该第一杂质浓度与该第二杂质浓度；/n一本体极，具有该P型导电型，形成于该上表面下并连接于该上表面的该本体区中，用以作为该本体区的一电气接点；/n一栅极，形成于该上表面上，且部分该本体区位于该栅极正下方并连接于该栅极，以提供该高压元件在一导通操作中的一反转区；以及/n一源极与一漏极，具有该N型导电型，于该垂直方向上，该源极与该漏极分别形成于该上表面下并连接于该上表面，且该源极与该漏极分别位于该栅极的外部下方的该本体区中与远离该本体区侧的该阱区中；/n其中，于一通道方向上，在该本体区与该漏极之间，连接该上表面的部分该阱区，用以作为该高压元件在该导通操作中的一漂移区；/n其中，该浮接区与该偏压区都位于该漂移区中；/n其中，该偏压区用以电连接至一预设偏压，且该浮接区为电气浮接。/n
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