[发明专利]高压元件及其制造方法

权利要求书

1.一种高压元件，包含：

一半导体层，形成于一基板上，该半导体层于一垂直方向上，具有相对的一上表面与一下表面；

一阱区，具有一N型导电型，形成于该上表面下并连接于该上表面；

一浮接区，具有一P型导电型，形成于该上表面下并连接于该上表面的该阱区中，该浮接区具有一第一杂质浓度；

一偏压区，具有该P型导电型，形成于该上表面下并连接于该上表面的该阱区中，该偏压区具有一第二杂质浓度；

一本体区，具有该P型导电型，形成于该上表面下并连接于该上表面，并于一通道方向上接触该阱区，该本体区具有一第三杂质浓度，其中该第三杂质浓度高于该第一杂质浓度与该第二杂质浓度；

一本体极，具有该P型导电型，形成于该上表面下并连接于该上表面的该本体区中，用以作为该本体区的一电气接点；

一栅极，形成于该上表面上，且部分该本体区位于该栅极正下方并连接于该栅极，以提供该高压元件在一导通操作中的一反转区；

一源极与一漏极，具有该N型导电型，于该垂直方向上，该源极与该漏极分别形成于该上表面下并连接于该上表面，且该源极与该漏极分别位于该栅极的外部下方的该本体区中与远离该本体区侧的该阱区中，其中，于一通道方向上，在该本体区与该漏极之间，连接该上表面的部分该阱区，用以作为该高压元件在该导通操作中的一漂移区；

一漂移氧化区，形成于该上表面上并连接于该上表面的部分该漂移区的正上方，且该浮接区与该偏压区位于该漂移氧化区正下方并接触该漂移氧化区；以及

一导电栓与一导线，其中该导电栓于该垂直方向上贯穿该漂移氧化区而与该偏压区电连接，用以作为该偏压区的电气接点，且该导电栓经由该导线，电连接该本体极，以使该偏压区与该本体极电连接；

其中，该浮接区与该偏压区都位于该漂移区中；

其中，该浮接区与该偏压区彼此不接触，且该浮接区与该偏压区于该通道方向上，由该阱区隔开；并且

其中，该偏压区用以电连接至一预设偏压，且该浮接区为电气浮接。

2.如权利要求1所述的高压元件，其中该漂移氧化区包括一区域氧化结构、一浅沟槽绝缘结构或一化学气相沉积氧化区。

3.如权利要求1所述的高压元件，其中部分该栅极位于该浮接区或该偏压区的正上方。

4.如权利要求1所述的高压元件，其中该偏压区与该本体极电连接。

5.如权利要求1所述的高压元件，还包含一埋层，具有该N型导电型，于该垂直方向上，形成于该本体区下方且与该本体区连接，且该埋层完全覆盖该本体区。