[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201810711070.6 | 申请日： | 2018-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN109216369B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 金成吉;金智美;金泓奭;南泌旭;安宰永;崔至薰 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B43/30 | 分类号： | H10B43/30;H10B43/40;H10B43/27;H01L23/488 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件可以包括多个导电图案和绝缘图案。多个导电图案可以形成在衬底上。多个导电图案可以在与衬底的上表面垂直的竖直方向上彼此间隔开。多个导电图案中的每一个可以具有延伸部分和台阶部分。台阶部分可以设置在对应导电图案的边缘处。绝缘图案可以在竖直方向上形成在多个导电图案之间。多个导电图案中的每一个的台阶部分的下表面和上表面可以向上弯曲。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：设置在衬底上的多个导电图案，所述多个导电图案中的每一个在与所述衬底的上表面垂直的竖直方向上彼此间隔开，所述多个导电图案中的每一个具有延伸部分和台阶部分，所述台阶部分设置在所述多个导电图案中的对应一个的边缘处；以及绝缘图案，在所述竖直方向上设置在所述多个导电图案中的每一个之间，其中，所述多个导电图案中的每一个的所述台阶部分的下表面和所述台阶部分的上表面向上弯曲。
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