[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件可以包括多个导电图案和绝缘图案。多个导电图案可以形成在衬底上。多个导电图案可以在与衬底的上表面垂直的竖直方向上彼此间隔开。多个导电图案中的每一个可以具有延伸部分和台阶部分。台阶部分可以设置在对应导电图案的边缘处。绝缘图案可以在竖直方向上形成在多个导电图案之间。多个导电图案中的每一个的台阶部分的下表面和上表面可以向上弯曲。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年7月3日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2017-0084229的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

示例实施例涉及半导体器件。更具体地，示例实施例涉及竖直存储器件。

背景技术

已经开发了一种竖直存储器件，其包括在衬底上分别竖直堆叠在多个水平面处的多个存储器单元。存储器单元可以包括堆叠的导电线，并且导电线的边缘上表面可以分别用作焊盘区域。焊盘区域可以具有阶梯形状。由于堆叠的存储器单元之间的竖直距离可能减小，因此形成具有阶梯形状的焊盘区域可能变得越来越困难。

发明内容

示例实施例提供了一种具有焊盘区域的半导体器件。

根据示例实施例，提供了一种半导体器件，其可以包括多个导电图案和绝缘图案。多个导电图案可以形成在衬底上。导电图案结构可以被布置为使得在与衬底的上表面垂直的竖直方向上彼此间隔开。多个导电图案中的每一个可以具有延伸部分和台阶部分。台阶部分可以设置在多个导电图案中的对应一个的边缘处。绝缘图案可以在竖直方向上形成在多个导电图案中的每一个之间。多个导电图案中的每一个的台阶部分的下表面和台阶部分的上表面可以向上弯曲。

根据示例实施例，提供了一种半导体器件，其可以包括导电图案结构和焊盘结构。导电图案结构可以设置在衬底的第一区域上。导电图案结构可以包括交替重复堆叠的第一导电图案和第一绝缘图案。焊盘结构可以设置在衬底的第二区域上。焊盘结构可以包括交替重复堆叠的第二导电图案和第二绝缘图案。第一导电图案和第二导电图案在每个水平面中可以具有单一第一结构，并且第一绝缘图案和第二绝缘图案在每个水平面中可以具有单一第二结构，第二导电图案中的每一个可以包括延伸部分和台阶部分，并且台阶部分可以设置在第二导电图案中的对应一个的边缘处。每个第二导电图案的延伸部分可以具有基本平坦的第一下表面和基本平坦的第一上表面，并且台阶部分具有可以向上弯曲的第二下表面和可以向上弯曲的第二上表面。

根据示例实施例，提供了一种半导体器件，其可以包括导电图案结构、多个沟道结构和焊盘结构。导电图案结构可以设置在衬底的第一区域上。导电图案结构可以包括交替重复堆叠的第一导电图案和第一绝缘图案。多个沟道结构可以设置在衬底上并延伸穿过导电图案结构。焊盘结构可以设置在衬底的第二区域上。焊盘结构可以包括交替重复堆叠的第二导电图案和第二绝缘图案。第一导电图案和第二导电图案在每个水平面中可以具有单一第一结构，并且第一绝缘图案和第二绝缘图案在每个水平面中可以具有单一第二结构。第二导电图案中的每一个可以包括延伸部分和台阶部分，并且台阶部分的边缘部分的下表面和上表面中的每一个可以向上弯曲。

在示例实施例中，焊盘结构中的每个导电图案可以向上弯曲。竖直方向上的相邻导电图案之间的距离可以由于弯曲部分而增加，因此竖直方向上的相邻导电图案之间的电短路的可能性可能降低。

附图说明

根据以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解示例实施例，在附图中：

图1是示出了根据示例实施例的半导体器件的横截面图；

图2是示出了半导体器件中的焊盘结构的一部分的横截面图；

图3是示出了根据示例实施例的半导体器件的横截面图；

图4至图18是示出了根据示例实施例的制造半导体器件的方法的各阶段的横截面图和平面图。