[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

设置在衬底上的多个导电图案，所述多个导电图案中的每一个在与所述衬底的上表面垂直的竖直方向上彼此间隔开，所述多个导电图案中的每一个具有延伸部分和台阶部分，所述台阶部分设置在所述多个导电图案中的对应一个的边缘处；以及

绝缘图案，在所述竖直方向上设置在所述多个导电图案中的每一个之间，

其中，所述多个导电图案中的每一个的所述台阶部分的下表面和所述台阶部分的上表面向上弯曲。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘图案的第一长度小于所述多个导电图案中的与所述绝缘图案邻接的每一个导电图案的第二长度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，凹部由所述绝缘图案的侧壁、所述多个导电图案中的第一个导电图案的上表面以及所述多个导电图案中的第二个导电图案的下表面限定，所述第一个导电图案的上表面与所述绝缘图案的下表面接触，所述第二个导电图案的下表面与所述绝缘图案的上表面接触，并且

其中，所述半导体器件还包括氧化硅层，所述氧化硅层设置在所述多个导电图案中的所述第二个导电图案的侧壁上并且填充所述凹部。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个导电图案中的每一个的所述延伸部分的下表面和所述延伸部分的上表面是基本平坦的。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述延伸部分具有第一厚度，并且所述台阶部分具有不同于所述第一厚度的第二厚度。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第二厚度大于所述第一厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述延伸部分具有第一厚度，并且所述台阶部分具有基本上等于所述第一厚度的第二厚度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述台阶部分包括具有平坦下表面的第一部分和具有向上弯曲的弯曲下表面的第二部分。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

上绝缘中间层，覆盖堆叠结构，所述堆叠结构包括所述多个导电图案中的每一个和所述绝缘图案；以及

接触插塞，延伸穿过所述上绝缘中间层，并且与所述多个导电图案中的每一个的所述台阶部分的上表面接触。

10.一种半导体器件，包括：

导电图案结构，设置在衬底的第一区域上，所述导电图案结构包括交替重复堆叠的第一导电图案和第一绝缘图案；以及

焊盘结构，设置在所述衬底的第二区域上，所述焊盘结构包括交替重复堆叠的第二导电图案和第二绝缘图案，

其中，所述第一导电图案和所述第二导电图案在每个水平面中具有单一第一结构，并且所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案在每个水平面中具有单一第二结构，

其中，所述第二导电图案中的每一个包括延伸部分和台阶部分，并且所述台阶部分设置在所述第二导电图案中的对应一个的边缘处，并且

其中，所述延伸部分具有基本平坦的第一下表面和基本平坦的第一上表面，并且所述台阶部分具有向上弯曲的第二下表面和向上弯曲的第二上表面。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括设置在所述衬底上并延伸穿过所述导电图案结构的多个沟道结构，并且所述多个沟道结构中的每一个包括介电层结构、沟道、填充绝缘图案和上导电图案。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一导电图案中的每一个在第一方向上延伸，并且所述第二导电图案中的每一个在所述第一方向上延伸。