[发明专利]半导体结构及其制造方法有效

申请号：	201810686366.7	申请日：	2018-06-28
公开（公告）号：	CN110660734B	公开（公告）日：	2022-05-17
发明（设计）人：	马瑞吉;杨国裕	申请（专利权）人：	联华电子股份有限公司
主分类号：	H01L21/8222	分类号：	H01L21/8222;H01L21/8234;H01L27/082;H01L27/088
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	陈小雯
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：	本发明公开一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括基底、双极结晶体管、第一内连线结构与第二内连线结构。基底具有彼此相对的第一面与第二面。双极结晶体管位于基底的第一面。双极结晶体管包括集极、基极与射极。集极设置在基底中。基极设置在基底上。射极设置在基极上。第一内连线结构位于基底的第一面，且电连接至基极。第二内连线结构位于基底的第二面，且电连接至集极。第一内连线结构更延伸至基底的第二面。第一内连线结构与第二内连线结构分别在基底的第二面电连接至外部电路。上述半导体结构可具有较佳的整体效能。
搜索关键词：	半导体结构及其制造方法
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【主权项】：

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n基底，具有彼此相对的第一面与第二面；/n双极结晶体管，位于所述基底的所述第一面，且包括：/n集极，设置在所述基底中；/n基极，设置在所述基底上；以及/n射极，设置在所述基极上；/n第一内连线结构，位于所述基底的所述第一面，且电连接至所述基极；以及/n第二内连线结构，位于所述基底的所述第二面，且电连接至所述集极，其中/n所述第一内连线结构更延伸至所述基底的所述第二面，且/n所述第一内连线结构与所述第二内连线结构分别在所述基底的所述第二面电连接至外部电路。/n

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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