[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，具有彼此相对的第一面与第二面，其中所述基底包括绝缘层与位于所述绝缘层上的半导体层；

双极结晶体管，位于所述基底的所述第一面，且包括：

集极，设置在所述基底的所述半导体层中；

基极，设置在所述基底上；以及

射极，设置在所述基极上；

保护层，位于所述基极与所述射极之间，且具有开口，其中所述射极穿过所述开口，且连接至所述基极；

第一内连线结构，位于所述基底的所述第一面，且电连接至所述基极；以及

第二内连线结构，位于所述基底的所述第二面，且电连接至所述集极，其中

所述第一内连线结构更贯穿所述半导体层，以延伸至所述基底的所述第二面，且

所述第一内连线结构与所述第二内连线结构分别在所述基底的所述第二面电连接至外部电路。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

第三内连线结构，位于所述基底的所述第一面，且电连接至所述射极，其中所述第三内连线结构更延伸至所述基底的所述第二面，且所述第三内连线结构在所述基底的所述第二面电连接至所述外部电路。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

互补式金属氧化物半导体元件，位于所述基底的所述第一面，且包括N型金属氧化物半导体晶体管与P型金属氧化物半导体晶体管，其中

所述N型金属氧化物半导体晶体管包括：

第一导体层，设置在所述基底上；

第一介电层，设置在所述第一导体层与所述基底之间；以及

第一N型掺杂区与第二N型掺杂区，设置在所述第一导体层两侧的所述基底中，且

所述P型金属氧化物半导体晶体管包括：

第二导体层，设置在所述基底上；

第二介电层，设置在所述第二导体层与所述基底之间；以及

第一P型掺杂区与第二P型掺杂区，设置在所述第二导体层两侧的所述基底中。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

第四内连线结构，位于所述基底的所述第一面，且电连接至所述第一导体层；

第五内连线结构，位于所述基底的所述第一面，且电连接至所述第一N型掺杂区；

第六内连线结构，位于所述基底的所述第二面，且电连接至所述第二N型掺杂区；

第七内连线结构，位于所述基底的所述第一面，且电连接至所述第二导体层；

第八内连线结构，位于所述基底的所述第一面，且电连接至所述第一P型掺杂区；以及

第九内连线结构，位于所述基底的所述第二面，且电连接至所述第二P型掺杂区，其中

所述第四内连线结构、所述第五内连线结构、所述第七内连线结构与所述第八内连线结构更延伸至所述基底的所述第二面，且

所述第四内连线结构至所述第九内连线结构分别在所述基底的所述第二面电连接至所述外部电路。

5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

高电阻率材料层，设置在所述互补式金属氧化物半导体元件与所述双极结晶体管上方。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述高电阻率材料层的电阻率大于4000欧姆·厘米。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述双极结晶体管包括异质结双极晶体管。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述集极与所述射极具有第一导电型，且所述基极具有第二导电型。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述集极包括：

重掺杂区，位于所述基底中；以及

轻掺杂区，位于所述基底中，且位于所述重掺杂区与所述基极之间。