[发明专利]或非型快闪存储器有效
| 申请号： | 201810685566.0 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN109427799B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 矢野胜 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/1158 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种或非型快闪存储器，其包含降低了消耗电力的三维结构的存储单元。本发明的快闪存储器包括多个柱状部，从硅基板的表面朝垂直方向延伸且包含主动区域；电荷蓄积部，以围绕各柱状部的侧部的方式形成；控制栅极，以围绕行方向的电荷蓄积部(130A)的侧部的方式形成；以及选择栅极，以围绕行方向的电荷蓄积部(130B)的侧部的方式形成。柱状部的其中一个端部经由接触孔而电连接至位线，柱状部的另一个端部电连接于形成在硅基板表面的导电区域。 | ||
| 搜索关键词： | 非型快 闪存 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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