[发明专利]或非型快闪存储器

权利要求书

1.一种或非型快闪存储器，其特征在于，包括：

基板；

源极线，形成于所述基板的表面上以提供基准电位；

多个柱状部，从所述基板的所述表面朝垂直方向延伸，且包含导电性的半导体材料，其中所述柱状部具有在底端之上的顶端，且所述柱状部的所述底端经由所述源极线而电连接于所述基准电位；

位线，配置于所述柱状部的所述顶端上，且经由接触孔而电连接于所述柱状部；

电荷蓄积部，以围绕位于所述位线附近的各所述柱状部的一部分的方式而形成；

绝缘部，以围绕位于所述源极线附近的各所述柱状部的另一部分的方式而形成；

选择栅极，以围绕所述绝缘部的方式而形成；

层间绝缘膜，形成于所述选择栅极上；

控制栅极，形成于所述层间绝缘膜上以围绕所述电荷蓄积部；

其中所述电荷蓄积部及配置于所述柱状部的所述顶端附近的所述控制栅极所定义出的存储单元与包含所述绝缘部及配置于所述柱状部的所述底端附近的所述选择栅极的选择晶体管串联连接，且各所述存储单元与所述位线并联连接，其中一个所述柱状部串联一个所述电荷蓄积部与一个所述绝缘部。

2.根据权利要求1所述的或非型快闪存储器，其特征在于，

所述快闪存储器还包含对所述存储单元进行编程的编程部件，所述编程部件对选择存储单元的所述控制栅极施加编程电压，对与所述选择存储单元串联连接的所述选择晶体管的所述选择栅极施加比所述编程电压小的选择电压。

3.根据权利要求2所述的或非型快闪存储器，其特征在于，

对于所述选择存储单元的所述电荷蓄积部，从源极侧注入电子。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的或非型快闪存储器，其特征在于，

所述快闪存储器包含：行选择部件，基于行地址来选择行方向的所述控制栅极及所述选择栅极；以及列选择部件，基于列地址来选择列方向的所述位线及所述源极线。

5.根据权利要求1所述的或非型快闪存储器，其特征在于，

所述电荷蓄积部与所述绝缘部为相同的结构。

6.根据权利要求5所述的或非型快闪存储器，其特征在于，

所述电荷蓄积部及所述绝缘部包含第一氧化膜、氮化膜及第二氧化膜。

7.根据权利要求1所述的或非型快闪存储器，其特征在于，

所述基准电位是形成于硅基板上的导电区域。

8.根据权利要求7所述的或非型快闪存储器，其特征在于，

所述存储单元的周边电路形成于硅基板上，所述存储单元形成于所述导电区域上。